声明
第一章 绪 论
1.1 研究背景
1.2.1光电探测器机理
1.2.2光电探测器的性能参数
1.3 研究现状及意义
1.4论文结构安排
第二章 Gr/Si肖特基结光电探测器
2.1 前言
2.2 器件的制备
2.3 测试结果及其分析
2.3.1 Gr/Si(N)型器件
2.3.2 Gr/Si(P)型器件
2.3.3 对比分析
2.4 本章小结
第三章 WS2/Si异质结光电探测器
3.1 前言
3.2.1 WS2单晶的生长
3.2.2 WS2单晶的转移与表征
3.2.3 器件的制备及其讨论
3.3.1 器件的制备
3.3.2 性能测试及其分析
3.4 本章小结
第四章 WS2界面修饰Gr/Si异质结光电探测器
4.1 前言
4.2.1 器件的制备
4.2.2 器件的表征
4.3 性能测试及结果分析
4.3.1 P型硅基底金属掩模器件
4.3.2 N型硅基底光刻掩模器件
4.4 本章小结
第五章 器件的光电流成像特性研究
5.1 前言
5.2 光电流成像测试系统
5.3.1 Gr/Si器件
5.3.2 Gr/WS2/Si器件
5.4 本章小结
第六章 总结与展望
6.1 总结
6.2 展望
致谢
参考文献
读硕士期间取得的研究成果
