主要符号表
1 绪论
1.1有机光电子学的发展
1.2有机场半导体的电子过程
1.3有机场效应晶体管基本结构和原理
1.4有机场效应晶体管面临的挑战
1.5挑战的应对方案
1.6空间电荷分布对器件性能的影响
1.7本论文所基于的前期工作与遗留问题—绝缘晶体管
1.8本论文的主要研究内容
2 有机场效应晶体管数值模型的建立
2.1工作于非均匀外电场下晶体管模型
2.2模型的求解
2.3模型的改进
2.4本章小结
3 有机半导体绝缘栅异质结的求解
3.1薄膜厚度的影响
3.2栅极电压的影响
3.3薄膜无序度的影响
3.4本章小结
4 晶体管工作特性仿真
4.1转移特性曲线
4.2晶体管的掺杂特性
4.3薄膜厚度的影响
4.4薄膜无序度的影响
4.5非恒定迁移率的晶体管转移曲线
4.6对体相迁移率的思考
4.7本章小结
5 晶体管工作于非均匀电场下的超跨导现象
5.1超跨导现象及定义
5.2不同分布的外加电场对超跨导的影响
5.3掺杂浓度对超跨导现象的影响
5.4薄膜厚度对超跨导现象的影响
5.5实验验证
5.6超跨导的潜在应用
5.7本章小结
6 超结构绝缘晶体管
6.1Atlas中晶体管模型的搭建
6.2超结构晶体管电流电荷分布特性
6.3高掺杂态下的转移曲线对比
6.4上下绝缘体对超结构晶体管的影响
6.5本章小结
7 结论与展望
7.1结论
7.2展望
致谢
参考文献
附录
附录A：Matlab求解泊松方程源代码
附录B:Altas器件仿真结构源代码
附录C:参考文献引用授权许可
攻读学位期间取得的研究成果
声明
西安交通大学;
