声明
摘要
符号表
第一章:绪论
1.1 光源的发展史
1.2 半导体材料的发展历史及现状
1.3 本文的研究内容与安排
第二章 生长工艺、设备及表征方法
2.1 化学气相沉积(CVD)
2.1.1 CVD法的原理
2.1.2 CVD实验设备
2.2 磁控溅射系统
2.2.1 磁控溅射原理
2.2.2 磁控溅射实验设备
2.3 荧光测试系统
2.3.1 激发系统
2.3.2 分光系统
2.3.3 制冷系统
2.3.4 探测系统
2.3.5 光路搭建
2.4 本章小结
第三章 GaN的基本特性
3.1 GaN的生长和制备
3.2 GaN的物理、化学特性
3.3 GaN的光电特性
3.4 本章小结
第四章 GaN基LED内量子效率的研究
4.1 内量子效率的定义
4.2 内量子效率的测量方法
4.3 PL内量子效率的测量
4.3.1 PL内量子效率传统测量方法
4.3.2 样品的结构参数
4.3.3 实验过程
4.3.4 PL光谱的形状、峰位、半高宽以及发光效率的温度依赖性
4.3.5 PL光谱积分强度,PL发光效率的功率依赖性
4.3.6 PL内量子效率测量新方案
4.4 EL内量子效率的测定
4.5 本章小结
第五章 ZnO的基本性质
5.1 ZnO的生长
5.2 ZnO的晶体结构
5.3 ZnO的物理化学性质
5.4 ZnO的光学特性
5.4.1 金属氧化物晶体的缺陷类型
5.4.2 ZnO中的缺陷发光
5.5 ZnO的电学特性
5.6 本章小结
第六章 ZnO纳米材料制备
6.1 CVD法生长ZnO
6.1.1 ZnO纳米线阵列基本生长条件
6.1.2 衬底的清洗
6.1.3 ZnO纳米线阵列的生长过程
6.1.4 ZnO纳米线的形貌表征
6.2 种子层种类对ZnO阵列表面形貌的影响
6.2.1 醋酸锌溶液制备种子层
6.2.2 利用磁控溅射系统生长种子层
6.2.3 种子层生长方法对ZnO表面形貌的影响
6.3 反应源到衬底之间的距离对ZnO阵列表面形貌的影响
6.4 种子层厚度ZnO纳米线表面形貌的影响
6.5 本章小结
第七章 结论
参考文献
致谢
攻读硕士期间发表的论文