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【6h】

锆基IVB--V族过渡金属三硫化物CVD可控生长及性能研究

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目录

声明

1 绪论

1.1 选题的依据及意义

1.2 ZrTe3 及其所属TMTCs的合成方法研究

1.3 TMTCs 晶体结构及电学性能研究现状

1.4 ZrTe3 的超导性及电荷密度波(CDW)研究现状

1.5 TMTCs的表征及测试

1.5.1 场发射透射电子显微镜

1.5.2 场发射扫描电子显微镜

1.5.3 X射线衍射

1.5.4 X射线光电子能谱

1.5.5 拉曼光谱

1.5.6 物理性能测试系统

1.6 选题意义和主要内容

2 三碲化锆单晶的可控化学气相沉积合成

2.1 引言

2.2 三碲化锆单晶的制备

2.2.1 实验材料

2.2.2 实验所用仪器和设备

2.2.3 实验内容

2.3 实验结果分析与讨论

2.3.1 CVD生长的ZrTe3单晶结构表征

2.3.2 CVD生长参数对ZrTe3单晶尺寸的影响

2.3.3 ZrTe3单晶的电学、磁学性能测试

2.4 本章小结

3 二碲化锆晶体的可控化学气相沉积合成

3.1 引言

3.2 实验部分

3.2.1 实验所用仪器和设备

3.2.2 ZrTe2单晶的CVD制备

3.3 实验结果分析与讨论

3.3.1 CVD生长参数对ZrTex晶体组分和形貌的影响

3.3.2 CVD生长的ZrTe2单晶结构表征

3.3.3 ZrTe2单晶的电学、磁学性能测试

3.4 本章小结

4 全文总结

4.1 全文总结

4.2 创新点

致谢

参考文献

攻读学位期间本人公开发表的论文

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