声明
1 绪 论
1.1 透射电子显微镜发展概述
1.2 透射电镜的应用及其必要性
1.3 原位电镜技术在纳米材料研究中的应用
1.3.1 TEM原位热学相关研究
1.3.2 TEM原位电学相关研究
1.3.3 TEM原位力学相关研究
1.3.4 TEM原位液体或气氛相关研究
1.4 TEM原位热学研究的必要性
1.4.1 TEM原位热学研究在纳米材料生长中的必要性
1.4.2 原位热学研究在纳米材料缺陷结构研究中的必要性
1.4.3 原位热学研究在纳米材料相变研究中的必要性
1.5 PbSe纳米晶概述
1.5.1 PbSe纳米晶简介
1.5.2 PbSe纳米晶的制备
1.6 PbSe纳米晶原位热学研究现状
1.6.1 PbSe纳米晶原位热学研究概况
1.6.2 PbSe纳米晶原位研究中存在的问题
1.7 本文的选题思想与主要内容
2 透射电子显微学相关技术
2.1 引言
2.2 高分辨成像技术
2.3 EDS能谱分析
2.4 原位加热样品杆及加热芯片
2.5 几何相位分析
2.6 密度泛函计算原理
3 PbSe纳米晶复合生长模式的原位热学研究
3.1 引言
3.2 PbSe纳米晶的制备
3.3 PbSe纳米晶的基本表征
3.4 PbSe纳米晶定向生长的原位研究
3.5 PbSe纳米晶形貌变化对其自由度的影响
3.6 PbSe纳米晶晶界迁移生长模式的转变
3.7 PbSe纳米晶界面稳定性研究
3.8 尺寸效应对PbSe纳米晶生长的影响
3.9 纳米晶生长过程中的应变与位错分析
3.10 高温下的定向附着生长过程
3.11 本章总结
4 PbSe纳米晶的原位升华研究
4.1 引言
4.2 PbSe纳米晶的制备
4.3 有机配体与电子束辐照对PbSe生长的抑制
4.4 单个PbSe纳米晶的原位升华研究
4.5 纳米晶尺寸对PbSe纳米晶升华的影响
4.6 PbSe纳米晶升华过程中的界面效应
4.6.1 PbSe纳米晶升华过程中的应力分析
4.6.2 PbSe纳米晶升华过程中的位错运动
4.7 坑型体缺陷对PbSe纳米晶升华的影响
4.8 PbSe纳米晶升华过程的连锁性
4.9 本章总结
5 总结与展望
5.1 全文总结
5.2 主要创新点
5.3 展 望
致谢
参考文献
附录1 攻读博士学位期间发表的论文目录
附录2 攻读博士学位期间参加的学术活动
