VDMOS功率器件和无源集成器件工艺开发和控制及其成品率的研究

摘要

随着集成电路的迅速发展，制造工艺技术的不断提高，使得CMOS的尺寸越来越小，从而使得集成电路的集成度越来越高。但在其间，一些特殊器件扮演了重要的角色。 与CMOS工艺相比，虽然由于工艺本质特征使其器件的尺寸比较大，但是，在某些高频率、大功率器件的应用领域，大功率器件和无源器件较CMOS器件具有无法取代的优势。本文主要阐述了功率器件VDMOS和无源器件制造工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，并进行量产流程(一)介绍工作电压20V、30V、60V、lOOV系列VDMOS工艺，工艺是通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司(ASMC)开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊的设计，通过背面减薄和背面金属化的方法，将VDMOS漏电极搬到背面，使得沟道由横向变成纵向，进一步提高了电流能力。论文阐述了通过大量的实践，主要对减小导通电阻，漏电流控制，在线颗粒控制三个关键问题进行的研究和解决，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。 流程(二)介绍了一种无源器件集成电路制作方案，工艺也是通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司(ASMC)的一种新型工艺，工艺采用特殊的设计方法，通过采用特殊的刻蚀，从而获得容量较大的电容。论文主要介绍电容的制作流程和控制的方法。

目录

文摘

英文文摘

第一章引言

第二章VDMOS失效问题的研究与解决

第三章无源器件集成电路工艺介绍

第四章结论

参考文献

致谢

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