声明
摘要
第一章 绪论
1.1 概述
1.2 国内外研究现状
1.3 研究意义
1.4 本文的主要工作
第二章 X射线剂量增强效应机理
2.1 X射线和γ射线与物质相互作用机制
2.1.1 光电效应
2.1.2 康普顿效应
2.1.3 电子对效应
2.1.4 γ射线的吸收规律
2.2 电离辐射总剂量效应
2.3 剂量增强效应
2.3.1 剂量增强效应的产生
2.3.2 界面的剂量增强
2.3.3 材料的剂量增强
2.3.4 器件的剂量增强
2.3.5 集成电路的剂量增强
2.4 吸收剂量测量
2.5 小结
第三章 实验原理与实验方案
3.1 单片机系统的剂量增强效应
3.1.1 相对剂量增强系数
3.1.2 辐照样品
3.1.3 退火效应
3.1.4 单片机系统总剂量辐射损伤的表征参数
3.2 实验方法
3.3 实验样品制备
第四章 单片机系统剂量增强效应的实验研究
4.1 X射线辐照实验
4.1.1 X射线系统电路辐照实验
4.1.2 X射线单元电路辐照实验
4.1.3 X射线辐照结果分析
4.2 样品退火
4.3 γ射线辐照实验
4.3.1 γ射线系统电路辐照实验
4.3.2 γ射线CPU单元电路辐照
4.3.3 γ射线PSD单元电路辐照
4.3.4 γ射线存储器单元电路辐照
4.3.5 γ射线辐照结果分析
4.4 数据处理及其结果讨论
4.4.1 剂量修正及修正后的剂量增强结果
4.4.2 失效判据的不同选取及其结果
第五章 总结与展望
5.1 系统剂量增强效应研究
5.2 研究结论
5.3 展望
致谢
参考文献
附录A 研究生在校期间发表学术论文情况