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方骏飞;
浙江大学;
钛酸锶铅; 射频磁控溅射; 硅化钛纳米线; 铁电薄膜; 化学气相沉积; 介电可调性;
机译:用硅化钛纳米线在组装好的底部电极上形成Pb_(0.6)Sr_(0.4)(Ti_(0.97)Mg_(0.03))O_(2.97)薄膜
机译:C54 TiSi2薄膜上TiSi纳米线的化学气相沉积:非晶硅化钛中间层辅助纳米线生长
机译:在Si_(1-x)Ge_x上形成稳定的钛锗硅化钛薄膜
机译:亚微米线上二硅化钛形成的热波分析
机译:硅衬底上的二硅化钛薄膜的形成和转变。
机译:不对称局部焦耳加热对跨Pt电极介电电泳形成的硅纳米线基器件的影响
机译:具有铂钛底电极和铂顶电极的SrBi 2 Ta 2 O 9(SBT)薄膜电容器模块的形成和表征
机译:二硅化钛的形成和性质:Ti-si薄膜应力发展的研究(Vorming en Eigenschappen van Tianium Bisilicide.Een Onderzoek naar spanningsontwikkeling in Dunne Ti-si Lagen)
机译:波浪状金属纳米线网络薄膜,包括该金属纳米线网络薄膜的可拉伸透明电极以及形成该金属纳米线网络薄膜的方法
机译:平板显示器,其中第一薄膜电极,介电薄膜和第二薄膜电极连续形成在基板上,并且电子直接从第一薄膜电极发射
机译:通过形成能够形成超介电常数的薄膜的相同方法来改善含钛复合氧化物的表面稳定性和含钛复合氧化物的表面稳定性
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