K掺杂PST薄膜的制备与介电调谐性能

摘要

采用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1mol%,2.5mol%,5mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能.发现掺杂后薄膜的晶型未改变,介电常数降低及介电损耗减小.1MHz时,随K含量的从0增加至5mol%,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0.134减小到0.058,其微波介电综合性能改善.