声明
摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 ZnO的基本性质
1.2.1 ZnO的晶体结构
1.2.2 ZnO的基本物理性质
1.3 一维ZnO纳米单晶的制备
1.3.1 气相生长法
1.3.2 液相生长法
1.3.3 模板辅助生长法
1.4 ZnO光致发光的性质研究
1.4.1 激子复合发光
1.4.2 杂质缺陷能级发光
1.5 Na掺杂单晶ZnO的研究
1.5.1 ZnO的P型掺杂
1.5.2 Ⅴ族元素在ZnO中的p型掺杂
1.5.3 Ⅰ族元素在ZnO中的p型掺杂
1.5.4 Na掺杂P型ZnO中的研究现状
1.6 本文主要研究内容和思路
第二章 实验内容与性能表征
2.1 引言
2.2 CVD法制备ZnO纳米线的原理和过程
2.2.1 实验原理
2.2.2 生长设备
2.2.3 实验步骤
2.3 水热法生长ZnO纳米棒的原理和过程
2.3.1 实验原理
2.3.2 实验步骤
2.4 Na离子注入ZnO
2.5 退火方法与条件
2.5.1 退火原理
2.5.2 退火设备
2.5.3 退火条件与步骤
2.6 材料表征
2.6.1 扫描电镜(SEM)
2.6.2 X射线光电子能谱(XPS)
2.6.3 二次离子质谱(SIMS)
2.6.4 光致发光(PL)谱
第三章 CVD法生长ZnO单晶纳米线的发光性质
3.1 引言
3.2 CVD法生长ZnO纳米线及其表征
3.2.1 ZnO纳米棒的生长
3.2.2 形貌(SEM)表征
3.2.3 退火处理
3.2.4 光致发光(PL)谱测试
3.2.5 二次离子表面质谱(表面SIMS)测试
3.3 ZnO单晶纳米线的发光性质研究
3.3.1 双激子发射
3.3.2 缺陷发光的精细结构
3.4 本章小结
第四章 Na掺杂ZnO单晶的发光
4.1 引言
4.2 水热法生长ZnO(ZnO:Na)单晶纳米棒及其性能表征
4.2.1 ZnO纳米棒的生长
4.2.2 ZnO:Na纳米棒的生长
4.2.3 形貌(SEM)表征
4.2.4 退火处理
4.2.5 光致发光(PL)谱测试
4.2.6 二次离子质谱(SIMS)测试
4.2.7 X射线光电子能谱(XPS)测试
4.3 ZnO单晶纳米棒的发光性质研究
4.3.1 ZnO纳米棒的发光性质
4.3.2 ZnO:Na纳米棒的发光性质
4.4 Na离子注入ZnO薄膜的发光性质研究
4.4.1 Na离子注入ZnO薄膜及其退火处理
4.4.2 ZnO:Na薄膜的发光性质
4.5 本章小结
第五章 退火对ZnO单晶纳米棒掺杂性能及光学性质的影响
5.1 引言
5.2 退火对ZnO纳米棒掺杂的影响
5.2.1 退火引起的非故意掺杂
5.2.2 退火对水热法生长ZnO纳米棒中Na掺杂的影响
5.3 退火对ZnO单晶纳米棒的光学性质的影响
5.4 本章小结
第六章 结论与展望
参考文献
致谢
个人简历
攻读硕士期间发表的学术论文与取得的其他研究成果