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目录
第一章 前言
第二章 文献综述
2.1 引言
2.2 稀土发光材料的研究进展
2.3 CeO2体系的发光性能研究
2.4 ZrO2体系的发光性能研究
2.5 本章小结
第三章 材料和器件的制备方法及表征
3.1 材料和器件的制备设备
3.2 材料和器件的制备工艺
3.3 材料和器件性能的表征方法及设备
第四章 基于CeO2薄膜的硅基MOS结构器件的紫外-可见电致发光
4.1 引言
4.2 CeO2薄膜及其构成的MOS器件的制备
4.3 CeO2薄膜物理性质的表征
4.4 基于CeO2薄膜的硅基MOS器件的电致发光
4.5 本章小结
第五章 基于掺铒CeO2薄膜的硅基MOS器件的可见及红外电致发光
5.1 引言
5.2 CeO2:Er薄膜及其MOS结构器件的制备
5.3 CeO2:Er薄膜的物理性质表征
5.4 CeO2:Er薄膜的光致发光
5.5 基于CeO2:Er薄膜的MOS器件的电致发光
5.6 基于CeO2:Er薄膜的MOS器件的I-V特性及载流子输运性质
5.7 基于CeO2:Er薄膜的MOS器件的电致发光机理
5.8 本章小结
第六章 基于掺铕CeO2薄膜的硅基MOS器件的电致发光
6.1 引言
6.2 CeO2:Eu薄膜及其MOS结构器件的制备
6.3 CeO2:Eu薄膜的晶相和光学性质表征
6.4 基于CeO2:Eu薄膜的MOS器件的电致发光
6.5 基于CeO2:Eu薄膜的MOS器件的I-V特性及载流子输运性质
6.6基于CeO2:Eu薄膜的MOS器件的电致发光机理
6.7 本章小结
第七章 基于稀土掺杂ZrO2薄膜的硅基MOS器件电致发光的探索
7.1 引言
7.2 ZrO2薄膜及基于ZrO2薄膜的MOS器件的制备
7.3 ZrO2薄膜的光致发光性能和XPS表征
7.4 基于ZrO2薄膜的MOS器件的I-V特性及电输运性质
7.5 基于ZrO2薄膜的MOS器件的电致发光
7.6 基于ZrO2薄膜的MOS器件的电致发光机理
7.7 ZrO2:RE薄膜的光致发光
7.8 基于ZrO2:RE薄膜的MOS器件的电致发光
7.9 本章小结
第八章 总结
8.1 结论
8.2 展望
参考文献
致谢
个人简历
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果