新型稠环场效应晶体管半导体材料的合成和表征

摘要

有机场效应晶体管以其质轻、价廉、可大面积制作和可用于柔韧基底等优点而在各种显示装置以及存储器件方面显示了巨大的应用前景。本论文设计、合成了一系列新型有机半导体材料，通过光谱和TGA等方法对材料的光物理性质和稳定性进行了表征，主要内容如下:
　　 1.合成了一种新型的含有带柔性链的噻咯单元环的具有并五苯类似结构的稠环化合物二甲基-二（苯并噻吩）并噻咯。紫外-可见吸收光谱测试显示其最大吸收峰为373 nm，根据最大吸收峰边际估算的HOMO和LUMO能级带隙宽度为2.98 eV。热重分析结果表明二甲基-二（苯并噻吩）并噻咯具有很好的热稳定性。此外，二甲基-二（苯并噻吩）并噻咯显示了较好的溶解性，有望用于溶液法制备有机场效应晶体管器件。
　　 2.合成了两个二维稠环化合物TBTDBT和HBTTBB。紫外-可见吸收光谱测试结果表明化合物TBTDBT在334 nm和387 nm有很强的吸收。根据溶液最大吸收峰边际估算的HOMO和LUMO能级带隙宽度为2.92 eV。表明此类化合物具有很好的光稳定性。热重分析实验显示化合物TBTDBT失重的起始温度为510℃，表明该类材料具有非常高的热稳定性。

目录

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致谢

摘要

第一章 绪论

1．1 有机场效应晶体管器件结构与工作原理

1．2 有机场效应晶体管半导体材料

1．2．1 p-型有机半导体材料

1．2．2 n-型有机半导体材料

1．3 有机场效应晶体管器件制备

1．3．1 真空技术

1．3．2 单晶技术

1．3．3 溶液处理成膜技术

1．4 OFET的应用前景

1．4．1 在大规模集成电路中的应用

1．4．2 在大面积显示中的应用

1．4．3 在传感器中的应用

1．4．2 在超导材料制备中的应用

1．5 目前存在的主要问题与发展趋势

1．6 本论文研究的目的与意义

参考文献

第二章 含硅稠环并五苯衍生物有机半导体材料的合成与性质研究

2．1 引言

2．2 实验部分

2．2．1 试剂、仪器与方法

2．2．2 合成与表征

2．3 结果与讨论

2．3．1 材料的合成与表征

2．3．2 材料的光物理性能

2．3．3 材料的热稳定性

2．4 本章结论

参考文献

第三章 二维稠环有机半导体材料的合成与性质研究

3．1 引言

3．2 实验部分

3．2．1 试剂、仪器与方法

3．2．2 合成与表征

3．3 结果与讨论

3．3．1 材料的合成与表征

3．3．2 材料的光物理性能

3．3．3 材料的热稳定性

3．4 本章结论

参考文献

第四章 总结与展望