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第一章绪论
1.1研究背景
1.2光促表面反应研究概况
1.2.1光促表面催化反应原理
1.2.2光催化材料活性的影响因素
1.3 CO2的光催化还原
1.3.1 CO2的分子结构
1.3.2 CO2的吸附活化研究
1.3.3 CO2光还原研究进展
1.4 CH4的光催化氧化
1.4.1 CH4的分子结构
1.4.2 CH4的吸附活化研究
1.4.3 CH4光催化氧化
1.5 CH4与CO2反应研究现状
1.6本研究的目标和构思及内容
1.6.1本研究的目的
1.6.2本研究的设计思路
1.6.3研究内容
第二章试验方法
2.1光催化材料的设计
2.1.1载体物质的选择
2.1.2复合半导体表面活性组分的设计和选择
2.2光催化材料的制备方法
2.2.1光催化材料制备方法的选择
2.2.2主要原料与试剂
2.2.3载体SiO2的预处理
2.2.4负载型复合硫化物的制备
2.2.5负载型复合氧化物的制备
2.3光催化材料的表征方法
2.3.1程序升温还原表征(TPR)
2.3.2 X射线衍射分析(XRD)
2.3.3红外光谱分析(IR)
2.3.4紫外-可见漫反射光谱(UV-vis DRS)
2.4光促表面催化反应性能评价实验
2.4.1光促表面催化反应-色谱(PSSR-GC)实验
2.4.2光促表面催化反应性能的评价
第三章光催化复合半导体材料的表面结构
3.1光催化复合半导体的化学组成与编号
3.2 ZnS-CdS/SiO2系催化剂表面结构与分析
3.2.1 XRD谱图分析
3.2.2 IR谱图分析
3.2.3TPR谱图分析
3.3Cu/MoO3-V2O5/SiO2系催化剂表面结构与分析
3.3.1 XRD谱图分析
3.3.2 IR谱图分析
3.3.2TPR谱图分析
3.4光催化材料表面结构模型
3.6小结
第四章光催化复合半导体的响应性能和能带结构
4.1光催化复合半导体的光响应性能
4.1.1硫化物复合半导体的光响应性能
4.1.2氧化物复合半导体的光响应性能
4.2光催化复合半导体的能带结构
4.2.1硫化物复合半导体的能带结构
4.2.2氧化物复合半导体的能带结构
4.3小结
第五章光催化CO2和CH4合成反应性能研究
5.1热表面催化反应结果
5.2 CO2与CH4的气相光催化反应结果
5.3光促表面催化反应(PSSCR—GC)实验结果
5.4反应温度对光催化反应性能的影响
5.5小结
第六章结论
参考文献
发表论文和参加科研情况说明
附录:紫外线高压汞灯的相对能量光谱图及辐照照度
致谢