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第一章 绪论
第一节 金属诱导晶化技术
第二节 选题的意义和本文的工作
第二章 基于表面修饰的溶液法金属诱导晶化非晶硅技术
第一节 概述
第二节 表面修饰S-MIC多晶硅薄膜材料的制备过程
第三节 表面修饰S-MIC多晶硅薄膜材料的分析
2.3.1不同的溶液浓度对多晶硅晶粒尺寸的影响
2.3.2表面修饰S-MIC多晶硅薄膜材料的均匀性
2.3.3表面修饰S-MIC多晶硅薄膜材料的稳定性
第四节 小结
第三章 MMIC p-Si的制备与分析
第一节 概述
第二节 MMIC p-Si的制备过程
3.2.1 MMIC p-Si的制备中镍金属诱导源的选取
3.2.2 MMIC p-Si制备中的准备工作
3.2.3 MMIC晶化过程分析
3.2.4 MMIC poly-Si微结构
3.2.5与MILC、GGS poly-Si制备工艺过程的比较
第三节 MMIC p-Si制备中影响其结晶状态的几个因素
3.3.1表面二氧化硅层的厚度
3.3.2晶核定位线的宽度
3.3.3镍源浓度
第四节 MMIC p-Si特性分析
3.4.1MIC p-Si/MMIC p-Si/MILC p-Si/GGS典型晶粒结构比较
3.4.2 MMIC p-Si/MILC p-Si/GGS中镍金属残留比较
3.4.3从777腐蚀来看MMIC p-Si和GGS中镍金属残留的分布
第五节 小结
第四章 3Mask薄膜晶体管的制备技术
第一节 概述
第二节 影响替代速率的几个因素
4.2.1在Mask3以后的替代工艺(即指完成光刻铝金属以后,再进行替代工作)
4.2.2在Mask3以前的替代工艺(即指在光刻铝金属之前,完成替代工作)
第三节 铝硅替代过程中出现的问题
4.3.1铝硅替代过程中出现的问题
4.3.2影响“空隙”产生的几个因素
4.3.3总结和解决办法
第四节 替代铝导线的电阻
第五节 小结
第五章 总结
致谢
参考文献
个人简历 在学期间发表的学术论文与研究成果