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【6h】

铽基氧化物陶瓷显微结构分析和电学特性研究

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摘要

第1章 绪论

1.1 稀土氧化铽

1.1.1 氧化铽陶瓷结构及氧泵特性

1.1.2 氧化铽陶瓷电学行为研究

1.2 压敏电阻

1.3 液相烧结与活化烧结

1.4 论文研究的意义、主要内容

1.4.1 论文研究的意义

1.4.2 论文的主要内容

第2章 实验过程和方法

2.1 实验原材料和主要测试设备

2.2 实验过程

第3章 CuO和Al2O3掺杂对Tb4O7陶瓷性能影响

3.1 烧结温度与保温时间对CuO-Tb4O7陶瓷显微结构的影响

3.2 CuO掺杂对Tb4O7陶瓷性能影响

3.2.1 CuO掺杂对Tb4O7陶瓷显微结构影响

3.2.2 CuO掺杂对Tb4O7陶瓷电学性能影响

3.3 Al2O3掺杂对Tb4O7陶瓷性能影响

3.3.1 Al2O3掺杂对Tb4O7陶瓷显微结构影响

3.3.2 Al2O3掺杂对Tb4O7陶瓷电学性能影响

3.4 其他氧化物掺杂Tb4O7陶瓷

3.5 本章小结

第4章 烧结气氛对CuO-Tb4O7陶瓷性能的影响

4.1 氧空位与氧浓度关系计算

4.2 氩气烧结对CuO-Tb4O7陶瓷性能影响

4.2.1 氩气烧结对CuO-Tb4O7陶瓷显微结构影响

4.2.1 氩气烧结对CuO-Tb4O7电学性能影响

4.3 氩气烧结-氧气处理对CuO-Tb4O7陶瓷性能影响

4.3.1 氩气烧结-氧气处理对CuO-Tb4O7陶瓷显微结构影响

4.3.2 氩气烧结-氧气处理对CuO-Tb4O7陶瓷电学性能影响

4.4 氧气烧结对CuO-Tb4O7陶瓷性能影响

4.4.1 氧气烧结对CuO-Tb4O7陶瓷显微结构影响

4.4.2 氧气烧结对CuO-Tb4O7陶瓷电学性能影响

4.5 本章小结

第5章 WO3和Al2O3掺杂对CuO-Tb4O7陶瓷显微结构和电学性能的影响

5.1 WO3掺杂对CuO-Tb4O7陶瓷性能影响

5.1.1 WO3掺杂对CuO-Tb4O7陶瓷显微结构的影响

5.1.2 WO3掺杂对CuO-Tb4O7陶瓷电学性能影响?

5.2 Al2O3掺杂对CuO-Tb4O7陶瓷性能影响

5.2.1 Al2O3掺杂对CuO-Tb4O7陶瓷显微结构影响

5.2.2 Al2O3掺杂对CuO-Tb4O7陶瓷电学性能影响

5.3 本章小结

结论

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果

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摘要

在2009年,课题组发现稀土氧化物Tb4O7陶瓷具有良好非线性,而且其抗老化性能相比于传统ZnO压敏陶瓷有很大提高,很有潜力发展成为新型压敏材料。通过课题组深入研究,发现纯Tb4O7陶瓷致密度差、非线性系数低,这些缺点限制了它在电路保护领域的使用。本文结合课题组之前的研究,采用掺入多种金属氧化物的方法,研究氧化物掺杂对Tb4O7陶瓷电学性能和显微组织的影响,力求提高Tb4O7陶瓷的致密性及其非线性,使其有可能被大规模的应用。之前使用了大量金属氧化物进行掺杂,但是都没有得到令人满意的结果,最后发现CuO掺入样品后可以大大提高Tb4O7陶瓷的烧结性能,使其在1100℃的温度下就拥有非常好的致密度和较大的非线性系数,该温度明显低于以前使用的1350℃。因为1026℃氧化铜会转换成氧化亚铜,在高温下CuO起到了“液相烧结”的效果。用Al2O3对Tb4O7陶瓷掺杂,发现Al2O3只能在小范围内提高Tb4O7陶瓷致密度,而且随着掺入量的增加,显微结构没有实质性的改变,电学性能差。所以最后选定CuO作为提高Tb4O7性能的掺杂物。XRD和SEM结果表明了Cu原子在高温下会取代Tb4O7晶格中的Tb原子引起晶格畸变,产生大量缺陷,形成了很多的氧空位。氧空位促进了物质传递,提高了物质的扩散系数,从而促进了Tb4O7陶瓷致密化,加速了晶粒生长。掺杂浓度5.0%的样品具有最大的致密度96.2%和晶粒尺寸4.2μm,相比之前样品70%致密度和0.4μm晶粒尺寸,有了非常大的提升。
  在烧结降温阶段,氧吸附于Tb4O7陶瓷的晶界,被吸附的氧和晶格中自由电子结合,在晶界处形成肖特基势垒,产生了非线性电学行为。为了探索气氛对Tb4O7陶瓷性能的影响,将其置于氩气、氧气、氩气-氧气环境烧结。在氩气中烧结的Tb4O7陶瓷致密度差、晶粒细小、电导率差,但是具有很高的非线性系数。该现象与Pr6O11在氩气中烧结样品结果相同,氩气烧结后Tb4O7陶瓷产生大量氧空位缺陷,这些缺陷聚集在晶界处形成了高能量势垒,提高了非线性系数。氧气能够明显提高Tb4O7陶瓷的致密性和非线性,通过氧气处理的样品,晶粒生长更好,非线性系数更大。随着CuO含量增加,第二相Cu2Tb2O5开始聚集在晶界处,阻碍了物质运输,大大降低了陶瓷密度和晶粒尺寸。
  CuO-Tb4O7具有优异的显微结构和电学性能。配合课题组之前的研究,选用WO3和Al2O3掺入CuO-Tb4O7陶瓷,观察其结构和性能的变化。根据实验结果发现,无论是WO3还是Al2O3都不能明显提高CuO-Tb4O7陶瓷的电学性能,主要是因为多相产生后阻碍了陶瓷晶粒的生长。

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