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摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 微机电系统中的纳米摩擦学问题
1.2.1 微机电系统概述
1.2.2 微机电系统的应用
1.2.3 微机电系统中的黏着及摩擦问题
1.2.4 微机电系统中的抗黏减摩设计
1.3 单晶硅材料的表面改性
1.3.1 单晶硅概述
1.3.2 单晶硅表面改性及方法
1.4 单晶硅表面氢钝化的应用及研究进展
1.4.1 单晶硅表面氢钝化
1.4.2 单晶硅表面氢钝化的应用
1.4.3 单晶硅表面氢钝化的研究进展
1.5 课题研究意义及研究内容
1.5.1 课题研究意义
1.5.2 研究内容
第二章 实验材料和研究方法
2.1 实验材料
2.1.1 实验样品
2.1.2 刻蚀溶液
2.1.3 加工探针
2.1.4 表征探针
2.2 实验设备
2.2.1 原子力显微镜
2.2.2 接触角视频测量仪
2.2.3 X-射线光电子能谱仪
2.3 实验方法
2.3.1 样品制作
2.3.2 黏着力测量
2.3.3 摩擦力测量
第三章 单晶硅表面氢钝化的时效性分析
3.1 表面接触角随放置时间的变化规律探究
3.2 表面化学成分随放置时间的变化规律探究
3.2.1 不同放置环境下XPS全谱分析
3.2.2 不同放置环境下Si2p单谱分析
3.3 本章小结
第四章 单晶硅表面氢钝化时效性对其摩擦学性能的影响探究
4.1 氢钝化时效性对黏着力的影响探究
4.1.1 氢钝化时效性对黏着力的影响规律
4.1.2 氢钝化时效性对黏着力的影响机制
4.2 氢钝化时效性对摩擦力的影响规律探究
4.3 本章小结
第五章 基于硅表面氧化层的小线宽纳米结构加工
5.1 单晶硅表面氧化层掩膜能力探究
5.2 探针曲率半径对纳米沟槽线宽的影响
5.3 加工参数对纳米加工结果的影响
5.3.1 刻划载荷对单晶硅表面纳米加工的影响
5.3.2 刻划次数对单晶硅表面纳米加工的影响
5.4 加工机理探究
5.4.1 Si3N4探针摩擦诱导刻划机理
5.4.2 KOH溶液对单晶硅表面氧化层的选择性刻蚀机理
5.5 本章小结
结论与展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果