第一章 绪论
§1.1研究背景与意义
§1.2GaN HEMT器件研究历史与现状
§1.3研究内容
第二章 GaN材料与HEMT功率器件
§2.1 GaN材料
§2.1.1 GaN材料特性与晶体结构
§2.1.2 AlGaN/GaN异质结特性
§2.1.3 GaN材料生长与材料缺陷
§2.2 AlGaN/GaN HEMT功率器件
§2.2.2增强型GaN HEMT器件结构及原理
§2.3 本章小结
第三章仿真软件校准与650V P型栅AlGaN/GaN HEMT模型建立
§3.1.1 TCAD仿真与原理简介
§3.1.2耗尽型GaN HEMT的制备与转移特性测试
§3.1.3 TCAD仿真软件参数校准
§3.2 650V P型栅结构模型建立与基本性能仿真
§3.2.1 650V P型栅结构模型建立
§3.2.2 650V P型栅结构器件基本性能仿真
§3.3 本章小结
第四章 GaN材料缺陷与瞬态应力引起650V P型栅AlGaN/GaN HEMT的失效问题
§4.1.1 GaN材料施主型缺陷对器件可靠性的影响
§4.1.2 GaNGaN材料受主型缺陷对器件可靠性的影响
§4.2 瞬态应力对器件可靠性的影响
§4.2.1栅极瞬态大电压冲击对器件可靠性的影响
§4.2.2瞬态大阻断电压冲击对器件可靠性的影响
§4.3本章小结
第五章 总结与展望
参考文献
致谢
作者在攻读硕士期间的主要研究成果
