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【6h】

无铅铁电压电单晶的性能调控及其微观结构

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目录

摘要

第1章绪论

1.1引言

1.2.1压电效应

1.2.2压电材料性能参数

1.3钙钛矿型弛豫铁电体

1.4钙钛矿型无铅压电材料的研究现状

1.5本论文的研究目标、研究内容和关键科学问题

1.5.1研究目标

1.5.2研究内容

1.5.3关键科学问题

第2章实验方法与内容

2.1 TSSG法晶体生长装置

2.2.1助溶剂的选择

2.2.2多晶料的预烧

2.2.3 TSSG法生长晶体

2.3晶体样品的制备

2.3.1晶体的定向和切割

2.3.2晶体的减薄与抛光

2.3.3制备电极

2.3.4晶体样品的极化

2.4性能表征

2.4.1电学性能测试

2.4.2光学性能测试

2.5结构表征

2.5.1粉末X射线衍射

2.5.2电畴结构表征

第3章Fe3+掺杂NBBT单晶畴结构研究

3.1引言

3.2 NBBT晶体宏观电学性能

3.3 NBBT畴结构表征

3.4 NBBT晶体畴结构对宏观电学性能的影响

3.5本章小结

第4章Fe3+掺杂NBBT单晶相结构研究

4.1引言

4.2晶体振动模计算

4.3 Fe3+掺杂NBBT5晶体相变的拉曼散射研究

4.4本章小结

第5章离子掺杂对KNN单晶的电学光学性能调控

5.1引言

5.2不同离子掺杂KNN晶体电学性能

5.3.1晶体上转换发光性能

5.3.2晶体导电性能

5.4 Er3+掺杂KNN晶体上转换发光与导电性能调控机制

5.5本章小结

第6章总结与展望

6.1总结

6.2展望

参考文献

攻读硕士学位期间的研究成果

致谢

声明

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摘要

铁电压电材料在国民经济和国防科技中占有重要地位,压电材料的发展趋势是高性能、高温度稳定性以及对环境友好。能够替代传统的锆钛酸铅(PZT)、铌镁酸铅(PMN)等含铅体系的新型无铅铁电压电材料是当前铁电学科的研究重点。钛酸铋钠(NBT)和铌酸钾钠(KNN)体系以优异的铁电、压电、介电性能和较高的居里温度被认为是具应用潜力的无铅铁电材料,因此本论文以NBT和KNN基无铅铁电单晶为研究对象,主要开展了晶体生长及电学、光学性能表征,晶体多层次、多尺度的结构研究及其性能调控研究。 研究了0.2at%Fe3+掺杂对0.95Na1/2Bi1/2TiO3-0.05BaTiO3(NBBT5)单晶压电性能、铁电性能的影响机制。发现Fe3+掺杂可以有效降低NBBT5晶体介电损耗,提高压电性能,NBBT5晶体d33为420pC/N,而0.2at%Fe3+掺杂NBBT5晶体d33为590pC/N。利用压电力显微镜(PFM)和透射电镜(TEM)研究了Fe3+掺杂前后微观畴结构的变化,结果发现Fe3+掺杂之后,NBBT5晶体畴尺寸更小,由微米量级减少至纳米量级,且畴密度更大,而这种结构有利于获得更高的压电响应。因此,更高密度的畴结构是0.2at%Fe3+掺杂NBBT5晶体具有更高压电性能的畴结构起源。 由于铁电材料内部具有不同尺度、不同层次的结构,有畴结构、相结构、极性纳米微区等。因此本论文从多层次结构研究了NBBT晶体的高压电响应机理。利用群论工具可以研究NBBT晶体的空间群相结构,而NBBT的相结构对压电性能有着重要的影响。 利用群论工具计算了NBBT不同空间群声子模的数目,并根据这些结果设计拉曼散射实验。利用拉曼光谱研究了NBBT5与0.5%Fe3+掺杂NBBT5单晶场致相变,实验发现NBBT5零场下为R3c相,氧八面体扭转方式为a-a-a-,存在反相畴界(APB),加电场未发生相变,而APB的存在会抑制畴壁的移动,不利于获得更高的压电性能;Fe3+掺杂NBBT5零场为P4bm相(氧八面体扭转方式为a0a0c+),加电场可诱导P4mm相(氧八面体扭转方式为a0a0c0),P4mm相氧八面体不扭转,不存在反相畴界(APB),因此电场诱导的P4mm相是0.5%Fe3+掺杂NBBT具有更高压电响应的相结构起源。 利用顶部籽晶生长法(TSSG)成功生长出了KNN单晶、Mn4+掺杂KNN晶体和Er3+掺杂KNN单晶,并研究了晶体的压电性能与介电性能,其性能远低于NBBT晶体。然而Er3+掺杂KNN单晶具有良好的上转换发光性能,且为半导体。研究不同退火条件对上转换发光以及电导性能的影响规律,结果发现退火温度越高,退火气氛中氧气含量越高,晶体氧空位越少,缺陷能级越窄,980nm光子激发下的光生载流子更少,电导率越低,800℃氧气退火之后晶体由半导体转变为绝缘体;而氧空位能够吸收980nm光子,因此氧空位越多,上转换发光强度越低,而500℃真空退火之后晶体上转换发光性能消失。根据不同退火条件下XPS结果可知,未退火样品为Nb4+与Nb5+共存,800℃氧气退火之后只存在Nb5+,500℃真空退火之后Nb4+增多,Nb4+的出现使得晶体为半导体,800℃氧气退火之后Nb4+的消失使得晶体转变为绝缘体。根据升温上转换发光激发谱,温度越高,荧光强度越低,此为温度诱导的荧光猝灭;而两个绿光峰强度之比与1/T呈线性关系,这一特性使得Er3+掺杂KNN晶体可用于制备温度传感器。

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