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摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 晶体硅/非晶硅硅基异质结太阳电池
1.2.1 晶体硅/非晶硅异质结电池发展历史
1.2.2 HIT电池的结构与特点
1.2.3 硅基异质结太阳电池的研发现状
1.3 高效硅基异质结太阳电池的发展方向
1.3.1 改善c-Si/a-Si界面情况
1.3.2 优化各层电学参数
1.3.3 增加电池光吸收
1.4 选题背景和研究内容
参考文献
第二章 硅基异质结太阳电池理论计算方法
2.1 引言
2.2 AFORS-HET的物理模型
2.2.1 泊松方程和电子与空穴的连续性方程
2.2.2 边界条件
2.3 FDTD方法基本理论
2.3.1 麦克斯韦方程及其FDTD形式
2.3.2 介质突变界面的等效电磁参数
2.4 本章小结
参考文献
第三章 硅基异质结太阳电池结构中的陷阱效应和同质异质结新结构设计
3.1 引言
3.2 计算模型
3.2.1 电池结构模型
3.2.2 a-Si层中的缺陷态分布模型
3.3 在p型a-Si发射层中缺陷态密度的影响和陷阱效应
3.4 在本征a-Si缓冲层中缺陷态密度的影响和陷阱效应
3.5 同质异质结新结构太阳电池
3.5.1 研究背景
3.5.2 计算模型
3.5.3 同质异质结电池输出性能
3.6 本章小结
参考文献
第四章 硅基异质结太阳电池的c-Si/a-Si半核壳同轴纳米线阵列陷光结构
4.1 引言
4.2 研究基础
4.2.1 LMRs
4.2.2 单根同轴纳米线的陷光机理
4.2.3 FDTD模拟纳米陷光结构
4.3 c-Si/a-Si半核壳同轴纳米线阵列
4.3.1 计算模型
4.3.2 c-Si/a-Si半核壳同轴纳米线阵列的光吸收增强
4.4 c-Si/a-Si半核壳同轴纳米线阵列的异质结太阳电池
4.5 本章小结
参考文献
第五章 介质/a-Si半核壳同轴纳米线阵列陷光结构
5.1 引言
5.2 介质/a-Si半核壳同轴纳米线阵列的光吸收增强
5.3 介质/a-Si半核壳同轴纳米线阵列的a-Si薄膜太阳电池
5.4 本章小结
参考文献
第六章 总结与展望
6.1 结论
6.2 创新点
6.3 展望
附录
参考文献
致谢
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