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原创性声明及本论文使用授权说明
第一章绪论
第二章金属晶体结构及全片层TiAl合金微观力学模型的建立
第三章全片层TiAl合金中位错的应力场
第四章全片层TiAl合金中位错受力计算
第五章结论与展望
参考文献
作者在攻读学位期间公开发表的论文
作者在攻读学位期间参与的项目
致 谢
覃曼青;
上海大学;
层状材料; 叠加方法; 层状效应; 力学行为; 离散位错; 复合材料; TiAl基合金;
机译:α{sub} 2薄层对全片层TiAl基合金变形和断裂的影响
机译:α_2片晶对全片层TiAl基合金变形和断裂的影响
机译:棱柱形位错环与界面网络位错相互作用的离散位错动力学研究
机译:通过外延层中穿线边缘位错的形貌分析表征4H-SiC衬底中的基础平面位错
机译:使用多尺度离散位错和梯度晶体可塑性形成位错边界和晶胞结构及其稳定性。
机译:孪晶边界运动和位错-孪生相互作用对Fcc金属力学行为的影响
机译:用分子动力学方法和位错理论研究纳米压痕中位错的集体力学行为
机译:全片层Tial中的界面位错和变形孪晶。
机译:通过将阻挡杂质注入到应变层中来减少应变层场效应晶体管中由位错引起的泄漏的方法
机译:减少由金属工件中的位错引起的残余应力的方法,涉及确定在工件中类似定向的声波的传播速度和在预定方向上的有效位错宽度
机译:形成高迁移率器件的方法,包括在形成在半导体衬底中的凹口中的位错阻挡层上外延生长半导体层
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