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第一章引言
1.1论文研究目的和意义
1.2硅基射频/微波电路的研究状况和进展
1.2.1硅基射频/微波有源器件的研究状况和进展
1.2.2硅基射频/微波无源器件的研究状况和进展
1.2.3硅基射频/微波片上系统
1.3多孔硅/氧化多孔硅在射频/微波电路的研究状况和进展
1.4论文的主要研究内容
参考文献
第二章低阻P型硅基多孔硅及氧化多孔硅厚膜的基本理论及制备方法
2.1多孔硅的形成机制
2.1.1 Beale耗尽模型
2.1.2扩散限制模型
2.1.3量子限制模型
2.1.4多孔硅形成的电压电流特性
2.1.5多孔硅的形成
2.2多孔硅的特征参数
2.2.1多孔度
2.2.2多孔硅的孔径和孔距
2.3实验装置
2.3.1设备
2.3.2腐蚀液的组成及作用
2.4基于阳极腐蚀的多孔硅形成速度研究
2.4.1多孔硅的形成速度和电抛光体硅形成台阶的速度
2.4.2抛光因子α
2.4.3验证及讨论
2.4.4体多孔硅的实现
2.5氧化多孔硅厚膜的实现
2.5.1多孔硅的高温氧化
2.5.2氧化多孔硅的Raman光谱
参考文献
第三章厚膜多孔硅的后处理研究
3.1厚膜多孔硅后处理的几种方法
3.2用过氧化氢后处理厚膜多孔硅
3.2.1厚膜多孔硅的界面张力
3.2.2用过氧化氢后处理厚膜多孔硅机理
3.3实验方法
3.3.1实验方法优化
3.3.2实验结果及分析
3.4用过氧化氢后处理厚膜多孔硅的特性表征
3.4.1用过氧化氢后处理的多孔硅表面AFM研究
3.4.2用过氧化氢后处理厚膜多孔硅的XRD研究
3.5体多孔硅厚膜的后处理及其特性表征
3.5.1体多孔硅厚膜的后处理
3.5.2用过氧化氢后处理的体多孔硅厚膜的SEM研究
3.5.3用过氧化氢后处理体多孔硅的XRD研究
3.6结论
参考文献
第四章厚膜多孔硅的物理特性和材料特性研究
4.1厚膜多孔硅的物理特性和材料特性概况
4.2厚膜多孔硅电阻率的测试与结果分析
4.3厚膜多孔硅的SEM研究与结果分析
4.3.1厚膜多孔硅的SEM研究
4.3.2体多孔硅的SEM研究
4.4厚膜多孔硅表面的AFM研究
4.5不同厚度多孔硅厚膜的XRD光谱与结果分析
4.5.1厚膜多孔硅的XRD光谱研究
4.5.2体多孔硅的XRD光谱研究
4.6不同厚度多孔硅厚膜的Raman光谱研究
4.6.1厚膜多孔硅的Raman光谱研究
4.6.2体多孔硅的Raman光谱研究
4.6.3体多孔硅沿径向方向的Raman光谱
参考文献
第五章基于多孔硅及氧化多孔硅介质厚膜的射频/微波共平面波导和级联式MEMS相移器
5.1传输线的基本理论
5.1.1传输线的类型
5.1.2传输线的等效电路
5.1.3微波网络散射(S)矩阵
5.1.4传输线的特性阻抗和传输常数
5.1.5阻抗匹配
5.1.6传输线的损耗
5.2共平面波导的基本参数
5.2.1共平面波导传输线结构
5.2.2共平面波导的等效电路
5.2.3共平面波导的特征电阻和传播常数
5.2.4共平面波导(CPW)的损耗
5.2.5共平面波导的相速
5.3射频/微波共平面波导的制备、工艺及结构优化
5.3.1共平面波导(CPW)制备
5.3.2制备工艺流程
5.3.3 CPW结构优化
5.4多孔硅/氧化多孔硅介质膜上的CPW的插入损耗测量与分析
5.4.1硅衬底的电阻率对共平面波导损耗的比较
5.4.2多孔硅/氧化多孔硅介质膜的厚度对共平面波导损耗的比较
5.4.3多孔硅/氧化多孔硅介质膜的介电常数
5.5级联式MEMS相移器
5.5.1级联式MEMS相移器的结构
5.5.2级联式MEMS相移器的基本参数
5.5.3级联式MEMS相移器的传输损耗比较研究
5.6结论
参考文献
第六章论文总结
6.1已完成的工作
6.2存在的问题
6.3未来发展的方向
致谢
攻读博士期间发表的论文
