叠层芯片封装的低弧度金线键合工艺技术研究

摘要

三维多芯片组件技术是现代微组装技术发展的重要方向，是新世纪微电子技术领域的一项关键技术，近年来得到了迅速的发展。高度的限制及叠层技术构形增加的复杂性对在叠层芯片应用中的丝悍技术提出了一些特殊的挑战，需要降低较低层的引线键合环形高度，以避免不同的环形层之间的线短路。环形顶层也需要保持低位，以便消除在模塑化合物外部暴露出焊线的现象，低外形环形技术的要求也推动了反向球焊技术使用的不断增长。本论文对三维多芯片组装技术中的叠层芯片低线弧键合工艺技术及其应用进行了研究： 所进行的折叠式正向弧线法(Forward Folded Loop)的研究除了能提供比传统正向球焊工艺具有更低弧线高度(低于75μm)和较少的颈部损坏之外，还降低了对芯片焊盘的损伤，具有更高的产量和更好的模塑去除性能。 研究了FFL的正向键合和SSB的反向键合方法来实现低线弧，满足了底线弧和可靠性的要求，FFL线弧往往更适合大批量的生产模式，是控制第一焊点高度和形状的首选低线弧模式。 折叠式正向环形法(Forward Folded Loop)的工艺研究经过金线键合和塑封工艺的评估，M线弧已经被验证为叠层芯片中降低长线弧下塌而造成短路的问题的解决方案，在大批量生产中能保持较高的良率。 上述工艺的优化在具体产品的实际应用中得到了验证，为采用折叠式正向弧线法(Forward Folded Loop)叠层芯片封装的金线键合提供了一种经优化了的超低弧线高度的正向球焊工艺技术。

目录

声明

摘要

引言

第一章叠层芯片封装中的引线键合技术

1.1电子封装的概述

1.1.1电子封装

1.1.2电子封装的发展

1.2叠层封装概述

1.2.1三维封装

1.2.2芯片叠层的三维封装

1.2.3芯片叠层封装的作用

1.3叠层芯片封装所面临的挑战

1.4叠层封装金线键合所面临的挑战

1.4.1金线键合工艺过程的概述

1.4.2金线键合主要工艺参数

1.4.3 Overhang Wire Bonding

第二章叠层芯片低线弧键合工艺参数的优化

2.1工艺参数的优化

2.1.1设备和材料

第三章叠层芯片低线弧键合工艺的应用

3.1低线弧的具体应用

3.1.1 Folded Forward Loop的应用之一

3.1.2 Folded Forward Loop的应用之二

3.1.3低线弧的应用三

3.1.4 低线弧的应用四

结论

参考文献

致谢