摘要
Abstract
第1章 绪论
1.1 研究锗硅低维量子结构及其电学性质的意义
1.2 导电原子力显微镜的背景和应用
1.3 本论文的结构安排
第2章 实验原理与方法
2.1 CAFM的基本原理
2.2 实验中容易遇到的问题
第3章 CAFM研究双层量子点的电学耦合效应
3.1 实验过程
3.2 实验结果及讨论
3.3 结论
第4章 锗硅量子点瞬态荷电机制的研究
4.1 CAFM测量有氧化层量子点电学性质的基本模型
4.1.1 ) 热电子发射
4.1.2 ) F-N隧穿
4.2 实验内容与结果的建模分析
4.2.1 ) 扫描方向
4.2.2 ) 同样条件下只改变扫描范围
4.2.3 ) 同样条件下只改变扫描速度
4.3 实验结果的进一步讨论
第5章 工作总结与展望
参考文献
致谢
