摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 中国半导体的发展
1.2 激烈竞争的IC制造业
1.3 良率
1.4 晶圆表面污染物的分类与湿法清洗简介
1.5 课题的提出
第二章 深亚微米颗粒在多晶硅栅工艺中的危害
2.1 深亚微米污染物导致的产品问题
2.2 对于缺陷性质与影响的分析
2.3 深亚微米表面污染物的来源
2.4 本章小结
第三章 深亚微米污染物的产生和分析
3.1 间接观测深亚微米污染物的方法
3.2 间接观测法的应用实验
3.3 SPM槽污染物的来源
3.4 本章小结
第四章 深亚微米污染物去除工艺的优化
4.1 污染物的微观分类
4.2 污染物的去除机理以及影响因素
4.3 SC1清洗与兆声波技术
4.4 优化湿法光阻剥离后的清洗工艺
4.5 本章小结
第五章 深亚微米污染物的监控方法
5.1 放大检测法的应用实验
5.2 SPM药液的使用时间与检测结果的关系
5.3 检测工艺过程中的系统误差
5.4 如何回收利用检测控片
5.5 本章小结
第六章 总结与展望
6.1 深亚微米颗粒研究结果总结
6.2 清洗技术发展趋势展望
参考文献
致谢
