目录
摘要
Abstract
前言
第一章 研究背景及文献综述
1.1 引言
1.2 铜薄膜与氧化腐蚀
1.2.1 铜薄膜在电子器件中的应用
1.2.2 铜薄膜的氧化腐蚀问题
1.2.3 金属薄膜的一般氧化过程
1.3 ITO透明导电薄膜与电化学腐蚀
1.3.1 ITO薄膜的基本结构与性能
1.3.2 ITO薄膜的制备技术
1.3.3 ITO薄膜在电子器件中的应用
1.3.4 腐蚀电化学行为
1.4 相关研究现状与文献综述
1.4.1 铜薄膜的研究现状
1.4.2 ITO薄膜的研究现状
1.5 本章小结
第二章 实验方法
2.1 引言
2.2 样品制备
2.2.1 真空蒸镀法制备铜薄膜
2.2.2 ITO电化学测试样品的制备
2.3 研究方法
2.3.1 同位素示踪法
2.3.2 方块电阻法
2.3.3 循环伏安法
2.3.4 电化学阻抗谱
2.4 结构与性能表征
2.4.1 X射线衍射谱表征薄膜表面成分与结构
2.4.2 二次离子质谱表征薄膜浅层成分分布
2.5 本章小结
第三章 同位素示踪法研究铜薄膜在水汽中的氧化传质
3.1 引言
3.2 氧化实验与氧化产物表征
3.2.1 氧化实验过程
3.2.2 氧化产物结构分析
3.2.3 同位素在氧化膜内的分布表征
3.3 微观扩散机制研究
3.4 本章小结
第四章 电化学阻抗谱分析ITO薄膜的电化学腐蚀
4.1 引言
4.2 EIS表征ITO薄膜电化学极化过程
4.2.1 ITO薄膜原样的EIS谱分析
4.2.2 ITO薄膜的电化学阴极极化
4.2.3 电化学阻抗谱表征极化过程
4.2.4 ITO薄膜的电化学腐蚀机理分析
4.3 环境参数对ITO薄膜电化学腐蚀的影响
4.3.1 溶液pH值
4.3.2 溶液温度
4.3.3 溶液氯离子浓度
4.4 本章小结
第五章 总结与展望
5.1 总结
5.2 展望
参考文献
附录
后记
