99nm内存的刷新时间的研究及改善

目录

摘要

Abstract

第1章 引言

1.1 集成电路概述

1.2 内存的意义

1.3 动态随机存储器

1.3.1 动态随机存储器简介

1.3.2 动态随机存储器的发展历史

1.4 内存的工作原理

1.4.1 内存结构和工作原理简介

1.4.2 内存刷新的简介

1.4.3 内存控制器

第2章 研究背景及材料制备与分析

2.1 产品背景简介

2.2 论文的研究目标

2.3 技术线路和实施方案

2.4 试验原料和试验器材

2.4.1 实验原料

2.4.2 实验设备及器件

2.5 分析测试仪器

2.6 产品结构

第3章 DRAM电容的提高实现的刷新时间改进

3.1 电容结构分析

3.2 提高电容容量

3.2.1 增加DT的深度

3.2.2 增大DT的尺寸

3.2.3 改变R1的深度

3.2.4 提高电介质层的k值

第4章 漏电流及漏电流的降低对刷新时间的改进

4.1 降低漏电流

4.1.1 DRAM漏电流路径的分析

4.1.2 降低寄生晶体管的漏电流

4.1.3 降低CELL CMOS的漏电流

4.1.4 NODE SIN的改善

4.1.5 CELL MOS的PN结漏电流

4.1.6 改进有源区到DT的漏电流

第5章 结论

参考文献

致谢