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彭坤; 王飚; 林大成; 吴萍; 外山弘毅;
昆明理工大学,机电学院,昆明,650093;
西南交通大学,经济管理学院,成都,610031;
中芯国际集成电路制造有限公司,天津,300381;
富士通微电子株式会社FCRAM产品部,日本三重县,511-0192;
离子注入; 动态随机存储器; 刷新时间; 漏电流;
机译:P-MOS DRAM单元的电容器区域中的刷新时间与注入重叠之间的关系的研究
机译:嵌入式DRAM的基于节能值的选择性刷新
机译:VRL-DRAM:通过可变的刷新延迟来提高DRAM性能
机译:通过了解和利用DRAM时序参数边缘来提高DRAM性能,安全性和可靠性
机译:具有保留功能的DRAM自动刷新方案可提高能源效率和性能
机译:通过并行访问刷新来提高DRam性能
机译:从保留时间测量中评估DRam可靠性
机译:用于选择性地对自动刷新命令进行操作的DRAM,用于控制其自动刷新操作的存储器,包括该DRAM和存储器的存储器系统及其操作方法
机译:用于微控制器系统中的DRAM存储器的读取和刷新控制方法,涉及在CPU的指定等待时间段内周期性地刷新DRAM
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