摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 纳米晶体硅
1.2 镶嵌在SiO_2中的纳米晶体硅与多孔硅的比较
1.3 纳米晶体硅的应用
第二章 纳米晶硅的制备方法和表征
2.1 纳米晶体硅的制备
2.1.1 常用的制备方法
2.1.2 反应蒸发法制备纳米晶体硅
2.2 纳米晶体硅的表征
2.2.1 光致发光谱(PL)
2.2.2 拉曼谱
2.2.3 透射电子显微镜谱(TEM)
2.3 小结
第三章 纳米晶体硅的电致发光
3.1 样品制备
3.2 纳米晶体硅的电致发光谱
3.3 薄膜中的电流电压特性
3.4 小结
第四章 SiO/Si多层结构的电致发光与光致发光
4.1 样品制备
4.2 多层结构样品的PL与EL
4.3 多层与单层样品的比较
4.4 激光预退火增强纳晶硅的电致发光
4.5 小结
第五章 ITO电极的应用与样品制冷对纳米晶体硅EL的影响
5.1 采用ITO顶电极
5.2 低温下的EL
5.3 小结
第六章 总结与展望
参考文献
硕士期间发表论文
致谢
