纳米氮化硅粉体的制备及其显微形貌分析

摘要

能源和环境问题现在已经成为全球面临的两大严峻问题，而电动机车具有效率高、噪音低、污染小、操作方便等优点越来越得到人们的重视。在农业上，复杂的应用环境和恶劣的工作条件对农用电动机车中的绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率模块提出了大功率、高电压、高电流要求，然而大功率及高温差可能导致IGBT芯片烧坏或产生热震开裂，无法继续服役。因此，要求农用电动机车上IGBT功率模块散热基板材料必须同时具备高热导率、良好的机械强度及优异的抗热震性能。 氮化硅（Si3N4）陶瓷具有高硬度、高强度、优异的耐热冲击性、良好的抗腐蚀性等，一直作为一种结构陶瓷被广泛研究及应用。近年研究发现，氮化硅（Si3N4）陶瓷具有与芯片匹配的热膨胀系数（CTE）和高理论热导率，开始作为电子功能陶瓷被广泛关注，被认为是目前最有潜力的大功率电子散热材料。但现有方法制备的氮化硅，其热导率仍远远达不到理论热导率水平，主要是因为氮化硅原料粉体在相组成和形貌上都还不能满足获得高热导率氮化硅陶瓷的要求。研究表明，纳米级、高α相含量氮化硅原料粉体有利于获得高致密度、高热导率氮化硅陶瓷烧结体，因此，寻找制备纳米级、高α相含量氮化硅的方法具有重要的理论意义和实际意义。 本论文主要研究了氮化硅粉体的制备方法、试验条件对产物相组成及显微形貌的影响，并分析了产物不同显微形貌的生长机理，最后制备出了纳米级、高α相含量的氮化硅粉体，分为三部分： 1）以Si粉为原料、Si3N4为稀释剂，采用Si粉直接氮化法制备Si3N4，研究加热温度、加热时间、原料/稀释剂质量比对产物中相含量和显微形貌的影响。试验结果表明，随温度升高，产物中α-Si3N4、β-Si3N4含量同时增加，但温度高于1450℃，由于发生α→β转变，产物中α-Si3N4含量降低；同理，随加热时间的增加，产物中α-Si3N4含量也随之减少；稀释剂的加入有利于产物中 α-Si3N4的生成。在形貌上产物分为上下两层，上层为纤维状，下层为块状，随温度、时间增加，Si3N4纤维直径增大，稀释剂含量对产物下层的形貌影响不显著。 2）在原料Si和稀释剂Si3N4中加入NaCl添加剂，利用熔融盐氮化法制备Si3N4，研究加热温度、熔融盐NaCl含量对产物中相含量和显微形貌的影响，并分析产物不同形貌的生长机制。试验结果表明，在1250℃ 1450℃时，随温度增加，产物中α-Si3N4含量有增加的趋势，但温度过高 α-Si3N4含量会降低；随着 NaCl 含量的增加，产物中α-Si3N4的含量逐渐减少。在形貌上，上层产物包括Si3N4纳米带和纳米线，且随着温度升高及NaCl含量增加，Si3N4纳米带和纳米线的径向尺寸逐渐变大；下层产物包括块状和短针状的Si3N4，随着加热温度的升高，短针状形貌增多，而随NaCl含量的增多，短针状产物减少，产物越致密。分析认为，不同的原料聚集状态最后形成不同形貌的产物，即产物的形貌与原料的聚集状态有关。 3）在原料Si粉中添加NaCl和NH4Cl添加剂，用NH4Cl辅助氮化法制备Si3N4。研究加热温度、NaCl 含量、NH4Cl 含量对产物中相含量和形貌的影响，并分析影响机理，同时研究产物中各种形貌的生长机制。试验结果表明，随温度、NaCl含量、NH4Cl含量的增加，产物中α-Si3N4的含量均出现先增加后减少的趋势。当温度为1450℃，NaCl为30 wt%，NH4Cl为3 wt%时，产物中α-Si3N4的含量最大达到了96 wt%。产物分为上下两层：上层产物中包括 Si3N4纳米线，纳米分叉纤维，且随着盐含量的增加，出现混乱的现象；下层产物中包括短针状、堆叠块状Si3N4；随着NaCl的增多，短针状Si3N4逐渐增多。硅粉氮化分为三个阶段，NaCl和NH4Cl促进了Si粉的汽化，引起陶瓷舟和刚玉管Al2O3成分的分解，导致反应气氛中含有微量的O和Al元素, 促进形成不同形貌的产物，且上层纤维产物的生长机制有VS、VLS和双生长机制：底部VLS机制和顶部VS机制等。

目录

声明

第一章 绪论

1.1研究目的及意义

1.2 氮化硅

1.3国内外研究现状

1.4 研究内容和方法

1.5 技术路线

第二章 直接氮化法制备氮化硅

2.1 试验原料

2.2 试验仪器

2.3 试验方案

2.4 试验结果及讨论

2.5 影响机理分析

2.6 氮化硅纳米纤维的生长机制

2.7 小结

第三章 熔融盐氮化法制备氮化硅

3.1 试验原料

3.2 试验仪器

3.3 试验方案

3.4 试验结果及讨论

3.5 产物形貌的影响机理

3.6 产物形貌的生长机理

3.7 小结

第四章 NH4Cl辅助氮化法制备氮化硅

4.1试验原料

4.2 试验仪器

4.3 试验方案

4.4 试验结果及讨论

4.5 NH4Cl辅助氮化过程分析

4.6影响机理分析

4.7 产物形貌的生长机理

4.8 小结

第五章 结论与展望

5.1 结论

5.2 创新点

5.3 展望

参考文献

致谢

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