烧结炭化硅晶体的制备、结构及光致发光特性

摘要

碳化硅是一种具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高的热导率以及高的临界击穿电场等优异特性的新型半导体材料。利用碳化硅的宽禁带特征，已有研究者将其用于制成蓝色发光二极管。但由于碳化硅为间接带隙半导体材料，其发光效率十分低。而同样为间接带隙的晶体硅在多孔化后，不但其发光光谱从近红外进入可见光区，发光效率也得到显著提高。加之，在粉末冶金工业中，常常采用烧结工艺来制备多孔材料。所以，本文试图采用烧结工艺来制备多孔碳化硅并对其光致发光特性进行研究。本文对经过压制成型的碳化硅粉末(压坯)，采取两种方法进行烧结。一种是直接烧结，即把压坯放入石墨坩埚中在真空条件下进行高温(1600℃～2000℃)烧结10小时；另一种是在硅熔体中烧结，即先把压坯放入内壁覆盖有一层碳化硅的石墨坩埚中，然后给压坯上覆盖一硅片在Ar气气氛中进行高温(1600℃～2000℃)烧结4小时。

目录

第一章 绪论

第二章 烧结碳化硅晶体的制备

第三章 烧结碳化硅晶体的结构分析

第四章 烧结碳化硅晶体的光致发光

致谢

参考文献