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【6h】

β-FeSi2/SiC光电二级管的设计与分析

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摘要

1 绪论

1.1 研究背景与意义

1.2 国内外研究进展

1.3 论文的主要研究内容及论文结构安排

2 β-FeSi2的结构和相关测试手段

2.1 β-FeSi2的结构

2.2 β-FeSi2材料的测试方法

2.2.1 薄膜结构特性测试

2.2.2 电学特性测试

2.2.3 光学特性测试

3 β-FeSi2/SiC光电二极管特性理论分析

3.1 β-FeSi2/SiC光电二极管特性

3.2 模型与参数的选取

3.2.1 4H-SiC和β-FeSi2材料基本参数

3.2.2 迁移率模型

3.2.3 光吸收和电子-空穴产生率模型

3.2.4 复合模型

3.3 p-β-FeSi2/n-4H-SiC模拟结果

3.3.1 光电二极管能带图

3.3.2 界面态对光电二极管反向漏电流的影响

3.3.3 界面态对产生率和复合率的影响

3.3.4 光电二极管的I-V特性

3.3.5 β-FeSi2层浓度对光电二极管响应度的影响

3.3.6 β-FeSi2层厚度对光电二极管响应度的影响

3.3.7 入射光的不同方向对光电二极管响应度的影响

3.4 本章小结

4 实验与工艺

4.1 β-FeS2薄膜的制备

4.1.1 基于Si衬底的β-FoSi2薄膜的制备

4.1.2 基于4H-SiC(0001)衬底的β-FeSi2薄膜的制备

4.1.3 β-FeSi2薄膜的光学特性

4.2 β-FeSi2薄膜的掺杂

4.2.1 Al掺杂β-FeSi2薄膜的制备

4.2.2 Al掺杂β-FeSi2薄膜的特性

4.3 β-FeSi2光电二极管

4.3.1 β-FeSi2/Si异质结光电二极管的制备

4.3.2 β-FeSi2/Si异质结光电二极管的特性

4.3.3 β-FeSi2/4H-SiC异质结光电二极管的制备

4.3.4 β-FeSi2/4H-SiC异质结光电二极管的特性

4.4 本章小结

5 基于LabVIEW的测试平台

5.1 硬件平台

5.1.1 KEITHLEY6517A型静电计

5.1.2 AGILENT GPIB-USB 82357A接口总线

5.2 软件平台

5.3 测试系统软件设计

5.3.1 控制计算机与仪器的通讯设计

5.3.2 VISA函数库简介

5.3.3 I-V特性测试功能的设计

5.3.4 软件界面

5.4 测试系统的测试

5.4.1 测试条件

5.4.2 测试方案及结果

5.5 本章小结

6 结束语

致谢

参考文献

在校学习期间所发表的论文及获奖情况

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摘要

为弥补SiC在近红外光电子领域应用的不足,基于红外光敏β-FeSi2直接带隙半导体材料,提出了一种β-FeSi2/SiC异质结近红外光电二极管探测器。本文以β-FeSi2/SiC光电二极管为研究对象,从理论和实验等方面开展了该器件的可行性研究工作。
  本文的主要工作和成果如下:
  1.采用器件模拟法对器件进行理论分析、建模和模拟,证明了该器件的可行性。通过分析界面态密度、吸收层厚度和浓度等因素对器件性能的影响,确定了当β-FeSi2层的厚度和掺杂浓度分别为2.5μm和1×1015cm-3,4H-SiC外延层厚度和浓度分别为2.0μm和1×1016cm-3时,在波长为1.42μm的光照下,峰值响应度高达755mA/W。
  2.通过磁控溅射及后续退火的方法,分别在Si(100)、4H-SiC(0001)衬底上制备出了β-FeSi2薄膜,XRD的结果表明了β-FeSi2薄膜为多晶结构,在近红外波段,薄膜的光吸收系数接近于105cm-1的数量级,并且所制备β-FeSi2薄膜的光学禁带宽度为0.88eV。
  3.对β-FeSi2薄膜进行了Al掺杂,发现掺杂并没有改变β-FeSi2薄膜的结晶结构,并且β-FeSi2薄膜的导电类型也从n型转化为p型,通过改变Al元素的溅射时间发现,随着Al含量在β-FeSi2薄膜中的增加β-FeSi2薄膜的电阻率减小。
  4.制备出了p-β-FeSi2/n-Si、n-β-FeSi2/p-Si和p-β-FeSi2/n-4H-SiC异质结光电二极管,通过对其Ⅰ-Ⅴ特性的测试。实验证明了P-β-FeSi2/n-4H-SiC具有整流特性并对1.31μm近红外光具有明显的光电效应,偏压-1V时,在1.31μm@5mW激光照射下,光响应度可达14.3mA/W。
  5.通过LabVIEW软件、KEITHLEY6517A型静电计和Agilent82357AGPIB-USB接口总线等设备,开发一套适用于光电二极管Ⅰ-Ⅴ特性测试系统,能够实现自动测量,数据的自动保存以及结果图形化的显示。
  总之,本文从理论和实验上初步验证了β-FeSi2/SiC近红外光电二极管探测器的可行性,为进一步开发SiC基近红外光控器件奠定了基础。

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