声明
摘要
1 绪论
1.1 光电导开关的发展历程
1.2 光电导开关理论研究现状
1.3 光电导开关应用
1.4 论文主要研究内容
1.5 本章小结
2.1 半绝缘GaAs的材料特性
2.1.1 半绝缘GaAs的物理化学性质
2.1.2 GaAs的能带结构
2.1.3 GaAs半导体的性质
2.2 光电导开关的结构
2.3 开关的工作模式
2.3.1 线性工作模式
2.3.2 非线性工作模式
2.3.3 非线性模式的猝灭方法
2.4.1 高密度碰撞电离理论
2.4.2 双载流子注入模型
2.4.3 流注模型
2.4.4 光激发电荷畴理论模型
2.5 本章小结
3 锁定效应的形成机理
3.1.1 实验开关结构
3.1.2 实验装置
3.1.3 实验结果
3.1.4 实验结果分析
3.2 锁定效应的机理分析
3.2.1 GaAs光电导开关材料的吸收机制
3.2.2 光激发电荷畴的形成
3.3 锁定电场的计算
3.4 本章小结
4 抑制锁定效应的研究
4.1 串联火花隙抑制锁定效应的实验
4.2 组合开关的实验结果
4.3 组合开关的抑制机理分析
4.4 本章小结
5 结论
5.1 本论文研究工作总结
5.2 未来工作展望
致谢
参考文献
附录