声明
1 绪论
1.1 研究的背景与意义
1.2 国内外研究进展
1.2.1 空位对磁性的影响
1.2.2 过渡金属掺杂对磁性的影响
1.2.3 碳化硅纳米线基铁磁半导体
1.3 本课题的研究内容
2 研究与计算方法
2.1 第一性原理计算
2.2 密度泛函理论
2.2.1 Hohenberg-Kohn定理
2.2.2 Kohn-Sham方程
2.3 交换关联泛函
2.3.1 局域密度近似
2.3.2 广义梯度近似
2.4材料计算流程
3 空位对3C-SiC纳米线的性能影响
3.1 本征3C-SiC纳米线
3.1.1 理论模型
3.1.2 计算体系与参数
3.1.3 本征3C-SiC纳米线的能带结构、态密度和布居数
3.2 Si空位对3C-SiC纳米线的性能影响
3.2.1 理论模型
3.2.2 计算体系与参数
3.2.3 计算结果与讨论
3.3 Si-C双空位对3C-SiC纳米线的性能
3.3.1理论模型
3.3.2计算体系与参数
3.3.3 计算结果与讨论
3.4 本章小结
4 过渡金属掺杂对3C-SiC纳米线的性能影响
4.1.理论模型
4.2计算体系与参数
4.3 计算结果与讨论
4.3.1形成能分析
4.3.2能带结构分析
4.3.3态密度分析
4.3.4自旋密度分析
4.3.5 Mulliken布居数分析
4.3.6磁性的判断
4.4 Mn掺杂浓度对3C-SiC纳米线的性能影响
4.4.1 理论模型和计算方法
4.4.2计算结果与讨论
4.5 本章小结
5 空位与过渡金属络合掺杂对3C-SiC纳米线的性能影响
5.1理论模型
5.2计算体系与参数
5.3 计算结果与讨论
5.3.1形成能分析
5.3.2能带结构分析
5.3.3态密度分析
5.3.4 Mulliken 布居数分析
5.3.5磁性的判断
5.4 本章小结
6 结论
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间主要研究成果