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第1章绪论
1.1 CMP技术的应用与发展
1.1.1 CMP技术的基本原理
1.1.2 CMP技术的特点
1.1.3 CMP技术的三大要素
1.1.4 CMP过程的输入输出变量
1.1.5 CMP的抛光工具
1.2 CMP技术的研究现状
1.3课题来源、意义及研究内容
1.3.1课题来源与意义
1.3.2研究内容
第2章CMP材料去除机理的基本理论
2.1 CMP材料去除机理的研究现状
2.2 CMP材料去除模型的分类
2.3 CMP材料去除机理的相关理论
2.3.1机械接触理论
2.3.2普列斯顿方程
2.4 CMP材料去除机理的典型模型
2.4.1 Luo和Dornfeld的模型
2.4.2 Ahmadi和Xia模型
2.5本章小结
第3章CMP中机械作用去除机理的研究
3.1实际CMP过程中材料去除速率的测量方法
3.2机械去除模型
3.3硬盘盘片和抛光垫之间的接触
3.3.1弹性模型和塑性模型
3.3.2弹性变形和塑性变形时接触面积和压力
3.4单位时间内单个研磨颗粒的材料去除速率
3.5与硬盘盘片实际接触的抛光垫表面研磨颗粒的浓度
3.6总的材料去除速率
3.7机械去除速率的模拟结果
3.7.1去除速率模型合理性的验证
3.7.2 CMP过程变量对材料去除速率的影响
3.8本章小结
第4章CMP中化学作用去除机理的研究
4.1旋转工具和轨道工具
4.1.1抛光液的传输系统
4.1.2被抛光芯片和抛光垫间的相对位置
4.1.3抛光垫
4.2实际CMP中芯片表面上铜反应层厚度的测量方法
4.3化学去除模型
4.3.1被抛光芯片和抛光垫的相对运动
4.3.2化学去除速率相关概念
4.3.3芯片表面铜的化学反应机理
4.3.4抛光垫表面上抛光液的压力分布及抛光垫槽内抛光液的流动速度
4.3.5抛光垫表面上氨基乙酸的浓度分布
4.4总的材料去除速率
4.5本章小结
第5章总结与展望
5.1全文总结
5.2研究展望
参考文献
后记
攻读硕士学位期间论文发表及科研情况