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独创性声明及关于论文使用授权的说明
第一章:绪论
§1.1研究背景与意义
§1.2目前国内外相关研究现状与进展
§1.3本论文的主要研究工作
第二章:超深亚微米PMOSFET中的NBTI效应研究
§2.1引言
§2.2 NBTI/HCI测试芯片的制作与实验方法
§2.3 NBTI效应测试样品制备与实验方法
§2.4 NBTI效应对PMOSFET器件I-V及C-V特性的影响
§2.5 PMOSFET静态参数随NBTI应力时间的漂移
§2.6 NBT应力条件和PMOSFET器件参数对NBTI效应的影响
§2.7 PMOSFET由NBTI效应限制的器件寿命评估
§2.8 NBTI效应对模拟电路性能的影响
§2.9 NBTI效应对数字电路性能的影响
§2.10电荷损伤对NBTI效应的影响
§2.11本章小结
第三章超深亚微米PMOSFET中的NBTI效应机理研究
§3.1引言
§3.2目前建立的NBTI界面陷阱Dit与氧化层电荷Qf产生模型
§3.3 NBTI效应界面陷阱Qit与氧化层电荷Qf的产生及模型建立
§3.4氮在NBTI效应中的作用
§3.5本章小结
第四章:超深亚微米PMOSFET中的AC-NBTI效应
§4.1引言
§4.2样品制备与实验方法
§4.3 AC-NBT退化与频率之间的关系
§4.4 NBTI效应中的动态特性及对器件寿命的影响
§4.5 NBTI效应中的自愈合(Self-Healing)现象
§4.6本章小结
第五章:超深亚微米MOSFET的高温HC退化及可靠性测试原则
§5.1引言
§5.2样品制备与实验方法
§5.3超深亚微米NMOSFET中的高温HC退化
§5.4超深亚微米PMOSFET中的高温HC退化
§5.5基于标准0.18um CMOS工艺技术的高温可靠性测试标准
§5.6本章小结
第六章:超深亚微米PMOSFET中的NBTI+HC混合效应研究
§6.1引言
§6.2样品制备与实验方法
§6.3 NBTI+HC混合效应对PMOSFET退化的影响
§6.4 PMOSFET中NBTI+HC混和效应的退化机制
§6.5 NBTI+HC效应对PMOSFET影响的分解
§6.6本章小结
第七章:NBTI效应的抑制方法及仿真系统的建立
§7.1引言
§7.2不同工艺条件对NBTI效应的影响及可能采取的抑制方法
§7.3针对NBTI效应的抑制原则及监控方法
§7.4超深亚微米PMOSFET中NBTI效应仿真系统的建立
§7.5本章小结
第八章 结束语
致谢
参考文献
攻读博士学位期间的研究成果
西安电子科技大学;