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张滨;
西安电子科技大学;
SiGe HBT; Ultra wideband; Low noise amplifier; Noise model Noise figure;
机译:电涌放电器故障率评估及在希腊高压输电线路中的应用研究
机译:基于磷的-SiH3和-GeH3衍生物的SiGe:P / Si(100)材料和器件的非常规路线:合成,电性能和光学行为
机译:TID电气的影响在V波段SiGe Bicmos LNAs上
机译:ECL缓冲电路中基于SiGe的异质结双极器件的二维DC和瞬态分析
机译:在Si / SiGe异质结构中对两种量子位器件的进展
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:新型平面内门器件及其在逻辑电路中的应用研究
机译:siGe器件和电路中的辐射硬化和重离子与激光相关。
机译:基于SiGe或SiGeC的HBT与带SiGe或SiGeC的半导体器件的集成
机译:制造具有具有非晶SiGe栅电极和升高的结晶SiGe源/漏结构的MOSFET的半导体器件的方法以及由此形成的器件
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