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摘要
第一章 绪论
1.1 研究背景和意义
1.2 国内外SiGe HBT的研究进展
1.3 SiGe HBT应用于LNA电路的研究进展
1.4 本文的研究内容及安排
第二章 SiGe HBT的理论研究
2.1 Si/SiGe半导体异质结
2.1.1 半导体异质结的基本原理
2.1.2 Si/SiGe半导体异质结的注入比
2.2 SiGe材料的主要制备技术
2.2.1 分子束外延(MBE)
2.2.2 化学气相沉淀(CVD)
2.3 SiGe HBT的工作特性
2.3.1 SiGe HBT的直流特性
2.3.2 SiGe HBT的频率特性
2.3.3 SiGe HBT的Early电压
2.4 SiGe HBT的结构参数
2.4.1 纵向结构参数的设计
2.4.2 横向结构参数的设计
2.5 本章小结
第三章 SiGe HBT的模型分析及其噪声研究
3.1 双极型晶体管模型分析
3.1.1 Ebers-Moll晶体管模型
3.1.2 Gummel-Poon晶体管模型
3.1.3 SPICE晶体管模型
3.2 射频电路中的噪声理论
3.2.1 噪声的分类
3.2.2 微波射频电路中晶体管的噪声
3.2.3 等效噪声温度和噪声系数
3.2.4 二端口网络的噪声
3.3 SiGe HBT的噪声模型分析
3.3.1 SPICE噪声模型
3.3.2 热动力学噪声模型
3.3.3 SiGe HBT简化SPICE噪声模型研究
3.3.4 SiGe HBT噪声分析
3.4 本章小结
第四章 低噪声放大器电路的理论研究
4.1 低噪声放大器各种参数
4.1.1 S参量
4.1.2 放大器的稳定性
4.1.3 放大器的增益
4.1.4 驻波比VSWR
4.1.5 工作频率及带宽
4.1.6 放大器增益平坦度
4.1.7 放大器线性度
4.1.8 动态范围
4.2 典型的超宽带低噪声放大器电路拓扑结构
4.2.1 差分式放大器
4.2.2 平衡式放大器
4.2.3 负反馈式放大器
4.3 偏置电路的理论分析
4.3.1 电感偏置电路
4.3.2 电阻偏置电路
4.3.3 双偏置电路
4.4 匹配理论分析
4.5 本章小结
第五章 SiGe HBT LNA电路的研究与设计
5.1 设计目标和设计方案
5.1.1 设计目标
5.1.2 设计方案
5.2 达林顿结构分析
5.3 晶体管直流工作点扫描和偏置电路设计
5.4 负反馈网络
5.4.1 串并联电阻负反馈
5.4.2 集电极电感负反馈
5.4.3 发射极电感负反馈
5.5 电路稳定性仿真
5.6 电路的输入匹配
5.7 电路的输出匹配
5.8 电路的整体优化
5.9 本章小结
第六章 总结与展望
6.1 全文总结
6.2 工作展望
致谢
参考文献
攻读博士学位期间的研究成果