兔坐骨神经实验性电损伤后雪旺氏细胞增殖及延迟整流钾离子通道的变化

摘要

电流对组织的损伤机制除了电流热效应损伤以外，还存在非热性损伤，主要表现为电流造成细胞脂质双分子层结构损伤，甚至引起细胞膜破裂和细胞溶解。这种损伤会导致细胞膜离子通道的改变，影响细胞活力和增殖，一定程度的电损伤周围神经能否造成雪旺氏细胞延迟整流K+通道损伤，导致电流活动发生改变，进而影响到细胞增殖能力?目前尚未见相关研究报道。 本课题研究目的是观察成年兔坐骨神经在受到不同电压的实验性电损伤后，雪旺氏细胞在神经溃变与再生过程中的增殖变化；同时利用膜片钳实验技术记录受损区域雪旺氏细胞延迟整流K+通道的活动变化。 实验采用75v和125v建立成年兔坐骨神经电损伤模型，以神经横断伤作为对照，在神经损伤第3、第7、第10天后，采用双酶消化法分离受损区域雪旺氏细胞，并进行SCs细胞计数分析；采用同位素H3标记胸腺嘧啶核苷技术，检测雪旺氏细胞增殖的活力；采用膜片钳技术记录雪旺氏细胞延迟整流K+通道的变化。 结果：1.75v电损伤组在术后第3、7、10天分离的雪旺氏细胞数量均明显多于横断伤组；术后第3天125v电损伤组SCs分离数量明显少于75v电损伤组。 2.术后第3、7、10天，75v电损伤组与横断伤组雪旺氏细胞DNA合成闪烁值和KD电流密度值均无显著差异。125v电损伤组在术后第3天闪烁值和KD电流密度值明显减少。 结论：1.75v电压作用于兔坐骨神经2秒钟后，不能造成受损神经内雪旺氏细胞DNA合成能力的变化和K0离子通道电流活动改变。 2.75v电压神经损伤后SCs细胞计数比横断伤组增多，可能是由于电损伤神经比横断伤变性更快而广泛，因而随后的巨噬细胞的趋化聚集也更多更广泛所致。 3.125v电压造成受损神经内雪旺氏细胞DNA合成能力降低和KD离子通道电流活动减少。

目录

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缩略语表

前言和文献回顾

正文

1兔坐骨神经实验性电损伤后受损区域雪旺氏细胞增殖变化

2免坐骨神经实验性电损伤后雪旺氏细胞KD电流密度变化

小 结

参考文献

个人简历和研究成果

致 谢