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摘要
第一章 绪论
1.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物材料及LED简介
1.1.1 GaN基半导体材料
1.1.2 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物材料简介
1.1.3 材料生长系统简介
1.1.4 GaN基发光二极管外延生长及芯片结构
1.1.5 LED简介
1.2 研究进展
1.2.1 缓冲层技术
1.2.2 插入层技术
1.2.3 应力弛豫问题
1.2.4 GaN薄膜中位错的分类及观察条件
1.3 本论文主要工作
第二章 MOCVD生长系统设备原理和相关表征手段
2.1 MOCVD生长原理简介
2.1.1 源和载气输运系统
2.1.2 反应室及加热系统
2.2 MOCVD生长GaN基材料的原理
2.2.1 MOCVD外延生长中的热力学及动力学过程
2.2.2 Ⅲ氮化物外延薄膜的MOCVD生长简介
2.3 实验表征方法
2.3.1 高分辨X射线衍射(HRXRD)
2.3.2 光致发光谱
2.3.3 原子力显微镜
2.3.4 霍尔(Hall)效应测试仪
2.4 本章小结
第三章 不同生长温度下的低温AlN层的MOCVD生长
3.1 引言
3.1.1 AlN材料生长的MOCVD基本原理
3.1.2 AlN薄膜的生长模型
3.2 低温AlN层的外延生长工艺
3.3 低温AlN层外延层晶体质量研究
3.4 低温AlN层表面粗糙度研究
3.5 本章小结
第四章 低温AlN插入层对AlGaN/GaN量子阱晶体质量、性能及应力弛豫作用影响
4.1 引言
4.2 低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱质量影响
4.2.1 AlGaN/GaN量子阱工艺生长条件
4.2.2 AlGaN/GaN多量子阱外延层晶体质量研究
4.2.3 AlGaN/GaN多量子阱表面粗糙度研究
4.2.4 AlGaN/GaN多量子阱电学及光学性能研究
4.3 低温AlN层表面研究及AlGaN/GaN多量子阱应力弛豫
4.3.1 引言
4.3.2 低温AlN层工艺生长条件
4.3.3 低温AlN层表面粗糙度研究
4.3.4 低温AlN层对AlGaN/GaN多量子阱应力弛豫的影响
4.4 低温AlN插入层对AlGaN/GaN量子阱晶体质量以及光学性质影响
4.4.1 AlGaN/GaN量子阱工艺生长条件
4.4.2 低温AlN插入层对AlGaN/GaN多量子阱外延层晶体质量影响研究
4.4.3 低温AlN插入层对AlGaN/GaN多量子阱光学性能研究
4.5 本章小结
第五章 结论
参考文献
致谢
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