文摘
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1 概述
1.1 ZnO半导体的特点、性质和研究意义
1.2 纳米ZnO半导体材料的特性及研究价值
1.2.1 纳米ZnO的光学性质
1.2.2 纳米ZnO的电子学性质
1.3 纳米ZnO的制备方法
1.3.1 气相沉积法
1.3.2 射频溅射法
1.3.3 模板法
1.3.4 液相法
1.4 水热合成法制备ZnO纳米材料的研究进展
1.5 本论文研究价值和意义
1.6 本论文的研究内容与创新点
2 水热合成法制备取向ZnO半导体纳米线阵列
2.1 引言
2.2 实验
2.2.1 实验样品制备
2.2.2 仪器及其工作原理
2.3 实验结果分析
2.3.1 氨水浓度对纳米线形貌的影响
2.3.2 反应时间对纳米线形貌的影响
2.3.3 反应温度对纳米线形貌的影响
3 取向ZnO半导体纳米线阵列的光致发光特性
3.1 引言
3.2 光致发光机理
3.3 取向ZnO半导体纳米线的PL谱特性测试结果与分析
结论
参考文献
攻读硕士学位期间发表学术论文情况
致谢