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邱岳;
南昌大学;
硅衬底; GaN; 黄光; LED; 生长条件; 光电;
机译:孔阻断层对GaN基黄光LED V型坑洞注射和内量子效应的影响
机译:AlGaN中间层对硅衬底上GaN基绿色LED的发光效率和可靠性的影响
机译:势垒温度对GaN基黄色LED光电性能的影响
机译:多晶片MOCVD反应器中GaN基LED生长条件的数值评估
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:通过使用双转移技术从蓝宝石转移到硅衬底来增强GaN基发光二极管的性能
机译:硅对生长在硅衬底上的功率AlGaN / GaN MIS-HEMT的击穿和俘获现象的影响的研究
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译:GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
机译:GaN基LED元件电极和GaN基LED元件及其制备方法。
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