秦汉签名
秦汉签名2
大论文终稿--秦汉
第一章 绪论
1.1 研究背景及意义
1.2 国内外研究现状
1.3 论文的主要研究内容
第二章 仿真计算的基本原理与方法
2.1 分子动力学
2.2 第一性原理
2.3 半导体隧穿电流
2.4 半导体C-V特性
2.5 仿真计算软件
2.6 本章小结
第三章 电场对含空位缺陷硅和二氧化硅结构的影响
3.1分子动力学模拟
3.2第一性原理计算
3.3 本章小结
第四章 电场对含空位缺陷硅/二氧化硅界面结构的影响
4.1 硅/二氧化硅界面
4.2分子动力学模拟
4.3 第一性原理计算
4.5 本章小结
第五章 总结与展望
5.1 研究总结
5.2 研究展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文
致 谢
苏州大学;
