声明
摘要
第1章绪论
第2章拓扑绝缘体简介
2.1 量子自旋霍尔效应-二维拓扑绝缘体与边缘态
2.2 三维拓扑绝缘体与表面态
2.3 超导和铁磁邻近效应
第3章BTK理论和约瑟夫森效应
3.1 Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程
3.2 Andreev反射
3.3 Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论
3.4 约瑟夫森效应
第4章基于狭窄的二维拓扑绝缘体的超导/正常/超导约瑟夫森结的超流性质
4.1 研究背景
4.2 模型与解析推导
4.3 结果与讨论
4.3.1 门电压控制的π拓扑Josephson结和相位蓄电池(phase battery)
4.3.2 门电压控制的超流整流器(supercurrent rectifier)
4.4 本章小结
第5章基于三维拓扑绝缘体的超导/铁磁/j正常/铁磁/超导约瑟夫森结的超流性质
5.1 研究背景
5.2 模型与解析推导
5.3 结果与讨论
5.3.1 磁化方向夹角控制的π拓扑Josephson结和相位蓄电池(phase battery)
5.3.2 平行磁构型下,磁交换场的y分量控制的超流开关效应
5.3.3 磁交换场的y分量作用下的超流自旋阀效应(supercurrent spin valve effect)
5.4 本章小结
第6章总结与展望
参考文献
在读期间发表的学术论文及研究成果
致谢