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【6h】

基于GaN器件射频功率放大电路的设计

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1绪论

1.1研究背景

1.2射频功率放大电路的简述

1.3本论文的研究内容综述

2射频功率放大电路基本理论

2.1射频电路基本理论

2.2功率放大电路设计理论基础

2.2.1功率放大电路的主要特性

2.2.2功率放大电路的稳定性分析

2.3本章小结

3射频功率放大电路的设计(一)

3.1前级功放管的选取

3.1.1前级功放管特性参数

3.1.2前级偏置电源电路的设计

3.2中间级功放电路的设计

3.3本章小结

4射频功率放大电路的设计(二)

4.1末级功率放大电路的静态工作点的设置

4.2 CGH40045晶体管的稳定性分析

4.3末级功放电路晶体管的输入输出阻抗分析

4.4末级功放管宽带匹配电路的设计

4.5未级功放匹配电路的仿真分析

4.5.1末级功放电路的S参数仿真分析

4.5.2末级功放电路的谐波平衡仿真分析

4.5.3末级功放电路的增益压缩仿真分析

4.6功放电路的偏置电源电路的设计

4.7功率放大电路实物测试与解决方案

4.8本章小结

结 论

致谢

参考文献

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摘要

本文主要是基于氮化镓(GaN)器件射频功率放大电路的设计,在S波段频率范围内,应用CREE公司的氮化镓(GaN)高电子迁移速率晶体管(CGH40010和CGH40045)进行的宽带功率放大电路设计。
   主要工作有以下几个方面:
   首先,设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内,对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点,继而进行宽带阻抗匹配电路的设计。本文采用双分支平衡渐变线拓扑电路结构,使用ADS软件对其进行仿真优化,设计出满足指标要求的匹配电路。具体指标如下:通带宽度为800MHz,在通带范围内的增益dB(S(2,1)>10dB、驻波比VSWR1<2、VSWR2<2,3dB输出功率压缩点分别大于40dBm、46dBm,效率大于40%。
   其次,设计功放偏置电源电路。电路要求是负电压控制正电压并带有过流保护功能,借助Orcad模拟电路仿真软件,设计出满足要求的电源电路。
   最后,分别运用AutoCAD和Altium Designer Summer08制图软件,绘制了功率放大电路和偏置电源电路的印制电路板,并通过对硬件电路的调试,最终使得整体电路满足了设计性能的要求。

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