首页> 中文学位 >等离子体器件中MgO薄膜外逸电子发射性能研究
【6h】

等离子体器件中MgO薄膜外逸电子发射性能研究

代理获取

目录

声明

摘要

本论文专用术语(符号、变量、缩略词等)注释表

第一章 绪论

1.1 等离子体显示器件概述

1.1.1 等离子体显示器件的发展历程

1.1.2 等离子体显示器件的原理及结构

1.1.3 等离子体显示器件技术的发展趋势

1.2 PDP中介质保护薄膜及外逸电子特性概述

1.2.1 介质保护薄膜的发展历程

1.2.2 介质保护薄膜的关键技术

1.2.3 外逸电子的发现及应用

1.3 本论文的主要工作及意义

第二章 MgO薄膜外逸电子发射电流测试方法

2.1 MgO薄膜外逸电子发射电流测试方法综述

2.1.1 参考屏测试法

2.1.2 高阻抗放大器测试法

2.1.3 高精度电流计测试法

2.2 一种MgO薄膜外逸电子发射电流测试新方法的提出

2.2.1 测试方法及原理

2.2.2 测试用屏的制备

2.2.3 测试平台的搭建

2.3 本章小结

第三章 壁电荷损失法测量MgO薄膜外逸电子发射电流

3.1 壁电荷损失的测试

3.1.1 无掺杂MgO保护膜

3.1.2 MgO:Si保护膜

3.1.3 MgO:Sc保护膜

3.1.4 MgCaO保护膜

3.1.5 维持脉冲频率变化效应

3.1.6 等待时间内电压值Vtw变化效应

3.2 放电时刻电压值Vat测试结果的讨论

3.3 本章小结

第四章 MgO保护膜外逸电子发射机理探究

4.1 测试方法

4.2 测试结果

4.2.1 固定延迟时间tf

4.2.2 无掺杂MgO保护膜的统计延迟时间ts

4.2.3 MgO:Si保护膜的统计延迟时间ts

4.2.4 MgO:Sc保护膜的统计延迟时间ts

4.2.5 MgCaO保护膜的统计延迟时间ts

4.3 测试结果的讨论

4.3.1 维持脉冲数对ts的影响

4.3.2 维持脉冲频率对ts的影响

4.3.3 外逸电子发射机理的讨论

4.4 本章小结

第五章 总结与展望

致谢

作者简介

参考文献

展开▼

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号