声明
摘要
第一章 绪论
1.1 研究背景及意义
1.2 国内外研究现状
1.2.1 半导体材料的发展
1.2.2 刻蚀技术的研究与发展
1.2.3 氮化物半导体材料的研究
1.3 论文组织
1.4 设计指标
第二章 氮化钨各向异性刻蚀的机理
2.1 湿法刻蚀
2.1.1 湿法刻蚀的基本原理
2.1.2 湿法刻蚀的分类及优缺点
2.1.2 氮化物湿法刻蚀
2.2 干法刻蚀
2.2.1 干法刻蚀的原理
2.2.2 干法刻蚀的分类
2.2.3 氮化物干法刻蚀的主要方法
第三章 氮化钨各向异性刻蚀工艺方法及实验设备选择
3.1 氮化钨的刻蚀要求及其刻蚀方法
3.1.1 氮化钨刻蚀工艺的要求
3.1.2 氮化钨刻蚀方法
3.2 氮化钨刻蚀工艺实验设备及材料
3.2.1 实验设备
3.2.2 实验材料
第四章 氮化钨各向异性刻蚀工艺设计
4.1 主刻蚀工艺参数确定
4.1.1 功率和压力
4.1.2 气体流量
4.1.3 综合参数确定
4.1.4 主刻蚀工艺Si损失量的确认
4.2 过刻蚀工艺的设计
4.3 刻蚀残留物的去除工艺
第五章 氮化钨各向异性刻蚀工艺验证及测试
5.1 主刻蚀工艺的验证
5.2 过刻蚀工艺的验证
5.3 刻蚀残留物去除工艺的验证
5.4 器件电学参数测试
5.4.1 测试目的
5.4.2 测试结果
5.5 设计指标验证
第六章 结论与展望
6.1 总结
6.2 展望
参考文献
致谢