常压冷等离子体的产生及在微电子和材料表面改性中的应用

摘要

本文是作者对常压射频和常压高频等离子体设备研究和应用工作的一部分。 二氧化硅薄膜的制备是微电子工艺中一项十分重要的技术，针对不同用途的二氧化硅薄膜，各种新的沉积技术不断涌现。而大气压射频低温等离子体增强化学气相沉积技术作为新型的薄膜沉积技术中一种比较具有代表性的技术，越来越多地受到人们的重视。 本文介绍了利用大气压射频低温等离子体技术在硅薄膜上沉积二氧化硅薄膜。讨论了沉积温度，输入功率，氧气流量等各种因素对薄膜生长的影响。由实验结果可知沉积温度与薄膜内的有机成分的含量成反比，输入功率与沉积速率成正比，而氧气的使用会对生长速率有着明显的促进作用。此外我们还对沉积过程进行了光谱分析，从光谱的角度解释了薄膜生长的一个可能的过程，同时我们还发现0(844nm)在薄膜的生长过程中可能有着一些特殊的作用。

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第一章序言

§1.1等离子体简介

§1.2低温等离子体的产生方法和应用

§1.3大气压下等离子体研究进展

§1.4本论文思路和章节安排

第二章常压射频低温等离子体放电通道的研制

§2.1常压射频等离子体研究进展

§2.2常压射频等离子体放电通道简介及电特性分析

第三章采用射频低温PECVD二氧化硅薄膜的研究

§3.1化学气相沉积法(CVD)

§3.2等离子体增强CVD(PECVD)

§3.3常压等离子体增强CVD生长二氧化硅薄膜的研究现状

§3.4实验方法的建立

§3.5常压射频冷等离子体在硅衬底上生长二氧化硅薄膜

第四章常压低温高频等离子体设备的研制与特性研究

§4.1常压高频等离子体放电通道的高压电源设计

§4.2常压高频等离子体放电通道的产生机理及电特性分析

结 论

致 谢

参考文献