磁控溅射半导体激光器腔面膜技术研究

摘要

磁控溅射镀膜技术广泛应用于镀膜领域，其制备的薄膜致密性高、制备过程中基片温升低和重复性好等优点，对于高功率半导体激光器腔面膜极其适用。因此，本文针对808nm的GaAs/AlGaAs半导体激光器，以理论为依据，研究了斜率效率、阈值电流和增益阈值与谐振腔表面反射率的关系；以提高斜率效率、输出功率和合适的阈值电流为目的，设计并制备了半导体激光器腔面膜。
　　本文通过计算腔面反射率与阈值电流和斜率效率的关系，设计了前腔面反射率为7.3％的单层SiO2膜和后腔面反射率为99.2％的G(Si/SiO2)3A高反膜系，并设计了15nm的ZnSe制钝化层，应用于808nm半导体激光器。结果表明，阈值电流在可以接受的范围内略有增加，但半导体激光器抗损伤阈值(COD)、斜率效率和输出功率得到明显提升。