基于异质诱导生长的红荧烯薄膜晶体管的研究

摘要

有机薄膜晶体管（Organic Thin Film Transistor,OTFT），属于场效应晶体管的一种。与传统非晶硅薄膜晶体管相比，拥有制备工艺简单、成本低、便于集成以及与柔性衬底兼容等优势，目前已被广泛应用于有机发光显示、传感器、有机逻辑电路等领域。
　　本论文是以n型重掺杂的硅为衬底，SiO2为绝缘层，采用真空蒸镀的方法，通过原子力显微镜和X射线衍射研究在SiO2和基于p-六联苯（p-6P）/酞菁铜（CuPc）异质诱导的红荧烯薄膜的生长及性能。获得了SiO2界面上红荧烯薄膜的生长特性和亚稳定机制模型以及 p-六联苯/酞菁铜异质诱导生长的具有高度有序形态和结晶结构的红荧烯薄膜。基于这种高质量薄膜制备的器件，载流子迁移率达到1.37×10-2 cm2/Vs，阈值电压-12.87 V，电流开关比达到105，为获得高性能的有机薄膜晶体管奠定基础。并且，p-六联苯/酞菁铜异质诱导生长红荧烯在未来有机发光显示，尤其是柔性显示方面有着很好的应用前景。

目录

声明

第一章 绪 论

1.1 有机异质诱导生长在有机薄膜晶体管中的应用

1.2 有机薄膜晶体管在有机发光二极管中的应用

1.3 有机薄膜晶体管驱动的有机发光显示器件结构

1.4 有机异质结结构薄膜研究的意义

1.5 本论文的主要研究内容

第二章 有机薄膜晶体管的基本原理及制备方法

2.1 有机薄膜晶体管的结构

2.2 有机薄膜晶体管的工作原理

2.3 异质诱导生长的方法及器件制备实验的介绍

2.4 样品表征及测试设备

第三章 红荧烯薄膜生长及性能的研究

3.1 在SiO2上红荧烯薄膜的生长及性能的研究

3.2 在异质诱导层上红荧烯薄膜的生长及性能的研究

3.3 p-6P/CuPc异质诱导红荧烯薄膜平面外X射线衍射

3.4 本章小结

第四章 异质诱导生长红荧烯薄膜晶体管性能的研究

4.1 不同厚度诱导层p-6P制备p-6P/CuPc/Rub薄膜晶体管的电性能

4.2 不同厚度诱导层CuPc制备p-6P/CuPc/Rub薄膜晶体管的电性能

4.3 不同衬底温度制备p-6P/CuPc/Rub薄膜晶体管的电性能

4.4 退火对p-6P/CuPc/Rub薄膜晶体管性能的影响

4.5 p-6P/CuPc/Rub薄膜晶体管的光敏特性

4.6 本章小结

第五章 总结与展望

5.1 论文工作总结

5.2 展望

致谢

参考文献

攻读硕士期间取得的研究成果