声明
摘要
第一章 绪论
1.1 前言
1.2 C/C复合材料的涂层防护
1.2.1 防护涂层的研究进展
1.2.2 防护涂层应具备的基本功能
1.2.3 涂层改性方法
1.3 SiC涂层材料
1.3.1 SiC的晶体结构与物理特性
1.3.2 SiC的氧化与热震
1.3.3 SiC涂层的制备方法
1.4 SiCw
1.4.1 SiCw的生长机制
1.4.2 SiCw的强韧化机制
1.5 研究目的与研究内容
1.5.1 研究目的
1.5.2 研究内容
第二章 实验方法
2.1 前言
2.2 实验原材料
2.2.1 C/C复合材料基体的预处理
2.2.2 C/C复合材料基体加载催化剂
2.2.3 制备SiCw涂层及SiC涂层的原材料
2.2.4 MTS流量的控制
2.3 实验设备
2.4 制备方法
2.4.1 CVD法制备SiCw涂层
2.4.2 CVD法制备SiC涂层
2.5 涂层的表征
2.5.1 增重率的表征
2.5.2 微观形貌、物相及催化剂状态的表征
2.6 涂层的性能测试
2.6.1 涂层力学性能实验
2.6.2 抗氧化实验
第三章 SiCw涂层的制备
3.1 前言
3.2 SiCw涂层制备的工艺参数设置
3.3 Fe、Co、Ni盐的影响
3.4 Ni盐加载量的影响
3.5 Ni盐催化随沉积温度的影响
3.6 Ni盐催化随α=QH2/QMTS值的影响
3.7 本章小结
第四章 SiCw/SiC涂层的制备与表征
4.1 前言
4.2 SiCw/SiC涂层制备
4.3 涂层的形貌及物相
4.4 SiCw/SiC涂层后催化剂的分布状态
4.5 涂层截面的力学性能
4.6 本章小结
第五章 C/C复合材料密度对SiCw/SiC涂层制备的影响
5.1 前言
5.2 低密度C/C复合材料(1.2±0.1g/cm3)沉积SiCw/SiC涂层及在1200℃下氧化
5.2.1 低密度C/C复合材料沉积SiCw/SiC涂层
5.2.2 SiCw/SiC涂层在1200℃下的氧化
5.3 高、低密度的C/C复合材料沉积SiCw/SiC涂层及在1500℃下氧化
5.3.1 C/C复合材料加载催化剂前后的比表面及孔径分布
5.3.2 不同基体密度对SiCw/SiC涂层沉积的影响
5.3.3 SiCw/SiC涂层在1500℃下的氧化
5.4 本章小结
六章 结论及展望
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间发表的论文